ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
52
нии его по всей площади кристалла.
Под МСЛ понимают пониженную по сравнения с Н
см ном
область локали-
зованного неоднородного магнитного поля Н
мсл
(х, у), которое взаимодействует
с ЦМД и фиксирует его в плоскости пленки. Размеры МСЛ обычно превышают
размеры ЦМД в 1,3…1,5 раза и не могут быть меньше ЦМД.
На рисунке 4.8 показано образование МСЛ вблизи торца пермаллоевого
элемента – аппликации толщиной t
a
, расположено непосредственно над плен-
кой с ЦМД и отделенного от пленки небольшим (0,1…0,2 мкм) немагнитным
технологическим зазором, предотвращающим повреждение поверхности
МПФГ.
Пр и приложении горизонтального управляющего поля Н
упр
аппликация
намагничивается.
Горизонтальное внешнее поле не оказывает влияния на поведение ЦМД.
Но намагниченность пермаллоевой аппликации М
а
обусловливает появление
положительного (+) и отрицательного (-) зарядов на концах аппликации, воз-
буждающих магнитное поле рассеяния, имеющее вертикальную Н
z
и горизон-
тальную Н
х
компоненты. Вер тикал ьная компонента поля рассеяния вблизи пра-
вого торца противонаправлена полю смещения, образуя его локальное пониже-
ние – МСЛ. Вбл изи левого торца, наоборот, поле смещения усиливается полем
рассеяния, образуя магнитостатический барьер (МСБ). ЦМД смещается в ло-
вушку, занимая всю ее площадь и сохраняя в ней свою форму круглого цилин-
дра. Перекл ючением
Н
упр
можно «перебрасывать» ЦМД из одного крайнего по-
ложения в другое.
По существу, управление ЦМД, т.е. перемещение его по заданной траек-
тор ии в плоскости кристалла, сводится к последовательной генерации
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 69
- 70
- 71
- 72
- 73
- …
- следующая ›
- последняя »
