Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 73 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

кр

/2λ (4.6)

Пр и достижении критической частоты ЦМД уже не успевает следовать за МСЛ

из-за «вязкости» среды, определяемой

, и выпадает из синхронизма, обуслов-

ливая тем самым сбои в работе ЦМД – микросхемы.

На рисунке 4.9 показан фрагмент основного типа доменопродвигающих

схем (ДПС), состоящих из пермаллоевых аппликаций (ЭП), форма которых

создает наилучшее условие для продвижения ЦМД. Движение МСЛ по аппли-

кации вызывается вращением поля Н

упр

, четыре позиции МСЛ

Рис. 4.9. Фрагменты доменопродвигающих структур, используемых в

ЦМД-микросхемах и движение в них ЦМД при вращающемся Н

упр

(точками

показаны позиции ЦМД при четырех направлениях Н

упр

): а – замкнутый ЦМД-

регистр; б – относительные размеры аппликаций