Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 75 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

56
но быть направлено против вектора намагниченности кристалла
М
r
и
иметь значение, превышающее поле анизотропии Н
а
. Снизить ток генерации (в
серийных ЦМД микросхемах
I
ген
= 100…200 ма) удается конструктивным совмещением токовой петли
генератора и пермаллоевых аппликаций в соответствии с рисунком 4.10б. Гене-
ратор ЦМД, изображенный на рисунке 4.10а, может служить аннигилятором
ЦМД, если сменить полярность возбуждающего импульса. На практике как до-
полнительные узлы аннигиляторы используются редко, предпочтение отдается
косвенным методам стирания информации.
Для переключения ЦМД из
канала ввода в накопительный регистр или из
накопительного регистра в канал вывода используются переключатели ЦМД.
Для достижения неразрушающего считывания служат ЦМД репликаторы, осу-
ществляющие деление информационного ЦМД на два: «оригинал» и «репли-
ку» (копию). Последняя переключается в канал вывода и считывается, при этом
«оригинал» остается в регистре.
Типовая конструкция переключателя
– репликатора изображена на ри-
сунке 4.11.
Считывание информации в применяемых на практике ЦМД – микросхе-
мах происходит в четыре этапа:
1)
увеличение площади ЦМД до значений, удовлетворяющих пороговой
чувствител ьнос ти магниторезисторного детектора (10
-10
Вб);
2)
физическое преобразование магнитного потока с поверхности растянуто-
го ЦМД в изменение электрического сопротивления
Δρ
тонкопленочного
пермаллоевого детектора (магниторезисторный эффект);
3)
преобразование
Δρ
в электрический сигнал посредством мостовой схемы;
4)
усиление сигнала с уровня 3 …20 мВ до стандартного уровня 5В.
На рисунке 4.12 представлена типовая структурная схема ЦМД микросхемы,
в которой обозначены: Ген – генератор ЦМД;

Страницы