Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 74 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

55
показаны на рисунке. За один оборот Н
упр
ЦМД перемещается в
соседний ЭП. Совокупность последовательно расположенных пермаллоевых
аппликаций, создающих под дейс твием внешнего управляющего магнитного
поля МСЛ, передвигающие ЦМД по замкнутому или разомкнутому информа-
ционному каналу, называют ЦМД – регистром. Каждая пермаллоевая апплика-
ция разомкнутого ЦМД – регистра является ЭП. В замкнутом ЦМД – регистре
сопрягающие аппликации могут содержать два ЭП (см.
рис. 4.9). Замкнутые
ЦМД регистры в ЦМД – микросхемах, называемые
накопительными или ин-
формационными регистрами
, предназначены для хранения информации, а ра-
зомкнутые ЦМД регистры, снабженные генератором и детектором ЦМД, при-
меняют для ввода – вывода информации.
В пермалоевых ДПС «узкими» местами являются горизонтальные зазоры
между аппликациями
δ
= d/2 (d – диаметр ЦМД).
Отсюда минимальный топологический размер (МТР) для таких структур,
иными словами, требуемая разрешающая способность литографического обо-
рудования R также равна d/2. Для примера положим R = 1 мкм (предельное
значение для фотолитографии). Тогда минимальный номинальный диаметр
ЦМД d
ном
= 2R= 2 мкм. Это, в свою очередь, означает, что и линейный размер
ячейки λ = 4d и ее площадь S
яч
= λ
2
= 16d
2
= 64R
2
также заранее определены.
Для рассматриваемого случая предельная емкость микросхемы С при стандарт-
ной площади кристалла S
кр
= 1см
2
= 10
8
мкм
2
равна:
С = S
кр
/ S
яч
= 10
8
/64
≈
1,5
⋅
10
6
(около 1Мбит).
Таким образом для работы с малыми (субмикронными) ЦМД пермаллое-
вые аппликации мало пригодны. Для этого необходимо либо переходить на
субмикронную литографию, либо использовать другие виды ДПС.
Для записи и стирания информации в ЦМД – микросхемах применяют
соответс твенно генераторы и аннигиляторы ЦМД. Генератор ЦМД, изображен-
ный на рисунке 4.10 а, в
упрощенном виде, представляет собой проводниковую
шину в виде петли с радиусом закругления r
ген
. При возбуждении импульсным
током I
ген
внутри петли возникает магнитное поле Н
ген
= I
ген
/2r
ген
которое долж-

Страницы