Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 72 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 4.8. Формирование магнитостатической ловушки вблизи торца пер-

маллоевой аппликации, намагниченной полем Н

упр

: а – магнитное поле рассея-

ния аппликации; б – вертикальная компонента поля рассеяния

(возбуждению) МСЛ на пути его следования. Максимальная скорость МСЛ

мсл

= λf

кр

, где λ - период ДПС; f

кр

– критическая частота вращения Н

упр

Предельная скорость ЦМД v

цм д

определяется максимальной глубиной ло-

вушки Н

и фактором демпфирования среды – подвижностью

границы

ЦМД

и оценивается по формуле

цмд

/2.

Таким образом

является одним из основных динамических параметров

ЦМД–материалов, а, следовательно, и ЦМД устройств.

Пока ЦМД находятся в ловушке, v

цмд =

мсл.

Отсюда