Составители:
Рубрика:
45
AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума;
TNOM — температура диода, °С.
Кроме одиночных диодов, в библиотеке EWB имеется также диодный мост,
для которого можно дополнительно задать коэффициент эмиссии N.
Светодиод - специально сконструированный диод, в котором предусмотрена
возможность вывода светового излучения из области перехода сквозь прозрач-
ное окно в корпусе.
Для светодиода дополнительно указывается
минимальный ток в прямом на-
правлении, при превышении которого светодиод зажигается.
Переключающие диоды с p-n-p-n или n-p-n-p структурами – это тиристоры
Тиристоры, имеющие выводы от крайних электродов, называют динистора-
ми, а приборы с третьим выводом (от одного из средних электродов) — трини-
сторами. Кроме того, к классу тиристоров относятся симметричные динисторы
(диаки
), симметричные тринисторы (триаки) и достаточно редкий тип динисто-
ра — диод Шокли, в котором структура n-p-n организована за счет наличия в p-
n-переходе ловушек, формируемых путем легирования.
Для переключательных диодов можно задать значения следующих парамет-
ров (для EWB 5.0 их обозначения указываются в квадратных скобках):
Saturation current Is [IS], A — обратный ток динистора;
Peak Off-state Current ldrm [IDRM], A — то же, но для тринистора;
Switching voltage Vs [VS],
В — напряжение, при котором динистор переклю-
чается в открытое состояние;
Forward Breakover voltage Vdrm [VDRM], В — то же, но для тринистора при
нулевом напряжении на управляющем электроде;
Peak On-State Voltage Vtm [VTM], В — падение напряжения в открытом со-
стоянии;
Forward Current at wich Vtm is measured ltm[ITM], A — ток в открытом со-
стоянии;
Turn-off time Tg [TG], с — время переключения в закрытое состояние;
Holding current lh [IH], A — минимальный ток в открытом состоянии (если
он
меньше установленного, то прибор переходит в закрытое состояние);
Critical rate of off-state voltage rise dv/dt [DV/DT], В/мкс — допустимая ско-
рость изменения напряжения на аноде тринистора, при котором он продолжает
оставаться в закрытом состоянии (при большей скорости тринистор открывает-
ся);
Zero-bias junction capacitance Cj [CJO], Ф — барьерная емкость динистора
при нулевом напряжении на переходе;
Gate Trigger voltage Vgt [VGT], В — напряжение на управляющем электроде
AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума; TNOM — температура диода, °С. Кроме одиночных диодов, в библиотеке EWB имеется также диодный мост, для которого можно дополнительно задать коэффициент эмиссии N. Светодиод - специально сконструированный диод, в котором предусмотрена возможность вывода светового излучения из области перехода сквозь прозрач- ное окно в корпусе. Для светодиода дополнительно указывается минимальный ток в прямом на- правлении, при превышении которого светодиод зажигается. Переключающие диоды с p-n-p-n или n-p-n-p структурами – это тиристоры Тиристоры, имеющие выводы от крайних электродов, называют динистора- ми, а приборы с третьим выводом (от одного из средних электродов) — трини- сторами. Кроме того, к классу тиристоров относятся симметричные динисторы (диаки), симметричные тринисторы (триаки) и достаточно редкий тип динисто- ра — диод Шокли, в котором структура n-p-n организована за счет наличия в p- n-переходе ловушек, формируемых путем легирования. Для переключательных диодов можно задать значения следующих парамет- ров (для EWB 5.0 их обозначения указываются в квадратных скобках): Saturation current Is [IS], A — обратный ток динистора; Peak Off-state Current ldrm [IDRM], A — то же, но для тринистора; Switching voltage Vs [VS], В — напряжение, при котором динистор переклю- чается в открытое состояние; Forward Breakover voltage Vdrm [VDRM], В — то же, но для тринистора при нулевом напряжении на управляющем электроде; Peak On-State Voltage Vtm [VTM], В — падение напряжения в открытом со- стоянии; Forward Current at wich Vtm is measured ltm[ITM], A — ток в открытом со- стоянии; Turn-off time Tg [TG], с — время переключения в закрытое состояние; Holding current lh [IH], A — минимальный ток в открытом состоянии (если он меньше установленного, то прибор переходит в закрытое состояние); Critical rate of off-state voltage rise dv/dt [DV/DT], В/мкс — допустимая ско- рость изменения напряжения на аноде тринистора, при котором он продолжает оставаться в закрытом состоянии (при большей скорости тринистор открывает- ся); Zero-bias junction capacitance Cj [CJO], Ф — барьерная емкость динистора при нулевом напряжении на переходе; Gate Trigger voltage Vgt [VGT], В — напряжение на управляющем электроде 45
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »