Составители:
Рубрика:
45
AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума; 
TNOM — температура диода, °С. 
Кроме одиночных диодов, в библиотеке EWB имеется также диодный мост, 
для которого можно дополнительно задать коэффициент эмиссии N. 
Светодиод - специально сконструированный диод, в котором предусмотрена 
возможность вывода светового излучения из области перехода сквозь прозрач-
ное окно в корпусе. 
Для светодиода дополнительно указывается
 минимальный ток в прямом на-
правлении, при превышении которого светодиод зажигается. 
Переключающие диоды с p-n-p-n или n-p-n-p структурами – это тиристоры  
Тиристоры, имеющие выводы от крайних электродов, называют динистора-
ми, а приборы с третьим выводом (от одного из средних электродов) — трини-
сторами. Кроме того, к классу тиристоров относятся симметричные динисторы 
(диаки
), симметричные тринисторы (триаки) и достаточно редкий тип динисто-
ра — диод Шокли, в котором структура n-p-n организована за счет наличия в p-
n-переходе ловушек, формируемых путем легирования. 
Для переключательных диодов можно задать значения следующих парамет-
ров (для EWB 5.0 их обозначения указываются в квадратных скобках): 
Saturation current Is [IS], A — обратный ток динистора; 
Peak Off-state Current ldrm [IDRM], A — то же, но для тринистора; 
Switching voltage Vs [VS], 
В — напряжение, при котором динистор переклю-
чается в открытое состояние; 
Forward Breakover voltage Vdrm [VDRM], В — то же, но для тринистора при 
нулевом напряжении на управляющем электроде; 
Peak On-State Voltage Vtm [VTM], В — падение напряжения в открытом со-
стоянии; 
Forward Current at wich Vtm is measured ltm[ITM], A — ток в  открытом со-
стоянии; 
Turn-off time Tg [TG], с — время переключения в закрытое состояние; 
Holding current lh [IH], A — минимальный ток  в  открытом  состоянии (если 
он 
меньше установленного, то прибор переходит в закрытое состояние); 
Critical rate of off-state voltage rise dv/dt [DV/DT], В/мкс — допустимая ско-
рость изменения напряжения на аноде тринистора, при котором он продолжает 
оставаться в закрытом состоянии (при большей скорости тринистор открывает-
ся); 
Zero-bias junction capacitance Cj [CJO], Ф — барьерная  емкость  динистора 
при нулевом напряжении на переходе; 
Gate Trigger voltage Vgt [VGT], В — напряжение на управляющем электроде 
  AF — показатель степени в формуле для фликкер-шума;
  TNOM — температура диода, °С.
  Кроме одиночных диодов, в библиотеке EWB имеется также диодный мост,
для которого можно дополнительно задать коэффициент эмиссии N.
   Светодиод - специально сконструированный диод, в котором предусмотрена
возможность вывода светового излучения из области перехода сквозь прозрач-
ное окно в корпусе.
  Для светодиода дополнительно указывается минимальный ток в прямом на-
правлении, при превышении которого светодиод зажигается.
  Переключающие диоды с p-n-p-n или n-p-n-p структурами – это тиристоры
   Тиристоры, имеющие выводы от крайних электродов, называют динистора-
ми, а приборы с третьим выводом (от одного из средних электродов) — трини-
сторами. Кроме того, к классу тиристоров относятся симметричные динисторы
(диаки), симметричные тринисторы (триаки) и достаточно редкий тип динисто-
ра — диод Шокли, в котором структура n-p-n организована за счет наличия в p-
n-переходе ловушек, формируемых путем легирования.
  Для переключательных диодов можно задать значения следующих парамет-
ров (для EWB 5.0 их обозначения указываются в квадратных скобках):
  Saturation current Is [IS], A — обратный ток динистора;
  Peak Off-state Current ldrm [IDRM], A — то же, но для тринистора;
   Switching voltage Vs [VS], В — напряжение, при котором динистор переклю-
чается в открытое состояние;
  Forward Breakover voltage Vdrm [VDRM], В — то же, но для тринистора при
нулевом напряжении на управляющем электроде;
   Peak On-State Voltage Vtm [VTM], В — падение напряжения в открытом со-
стоянии;
   Forward Current at wich Vtm is measured ltm[ITM], A — ток в открытом со-
стоянии;
  Turn-off time Tg [TG], с — время переключения в закрытое состояние;
   Holding current lh [IH], A — минимальный ток в открытом состоянии (если
он меньше установленного, то прибор переходит в закрытое состояние);
   Critical rate of off-state voltage rise dv/dt [DV/DT], В/мкс — допустимая ско-
рость изменения напряжения на аноде тринистора, при котором он продолжает
оставаться в закрытом состоянии (при большей скорости тринистор открывает-
ся);
  Zero-bias junction capacitance Cj [CJO], Ф — барьерная емкость динистора
при нулевом напряжении на переходе;
  Gate Trigger voltage Vgt [VGT], В — напряжение на управляющем электроде
                                                                               45
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
