Виртуальное проектирование электронных приборов и систем. Бердников А.В - 43 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

47
9 Коэффициент плавности коллекторного перехода (В-С junction grading
coefficient mc [MC]);
9 Напряжение Эрли, близкое к параметру U
к max
В (Early voltage VA [VA]);
9 Обратный ток эмиттерного перехода, A (Base-Emitter Leakage Saturation
Current Ise[ISE]);
9 Ток начала спада усиления по току, близкое к параметру I
к max
A (Forward
Beta High-Current Knee-Point Ikf [IKF]);
9 Коэффициент неидеальности эмиттерного перехода (Base-Emitter Leakage
Emission Coefficient Ne [NE]).
9 Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор, В (В-С junctij
potential pc[VJC]).
9 Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер, В (В-Е junction
potential ре [VJE]).
Набор задаваемых параметров для биполярных транзисторов в EWB 5.0 соб-
ран в пяти окнах-закладках. Дополнительные параметры находятся в последних
трех закладках. Эти параметры
имеют следующее назначение:
NF — коэффициент неидеальности в нормальном режиме;
NR — коэффициент неидеальности в инверсном режиме;
IKR — ток начала спада коэффициента усиления тока в инверсном режиме.
А;
NC — коэффициент неидеальности коллекторного перехода;
RBM — минимальное сопротивление базы при больших токах, 0м;
IRB — ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% от
разниц RB-RBM, А;
XTF — коэффициент, определяющий зависимость времени TF переноса за-
рядов через базу от напряжения коллектор-база;
VTF — напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться его
влияние на TF, В;
ITF — ток коллектора, при котором начинается сказываться его влияние на
TF, А;
PTF — дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора
F
гр
=l/(2πTF), град.;
VJS — контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка, В;
MJS — коэффициент плавности перехода коллектор-подложка;
XCJC — коэффициент расщепления емкости база-коллектор;
FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенных пе-
реходов; 
     9 Коэффициент плавности коллекторного перехода (В-С junction grading
       coefficient mc [MC]);
     9 Напряжение Эрли, близкое к параметру Uк max В (Early voltage VA [VA]);
     9 Обратный ток эмиттерного перехода, A (Base-Emitter Leakage Saturation
       Current Ise[ISE]);
     9 Ток начала спада усиления по току, близкое к параметру Iк max A (Forward
       Beta High-Current Knee-Point Ikf [IKF]);
     9 Коэффициент неидеальности эмиттерного перехода (Base-Emitter Leakage
       Emission Coefficient Ne [NE]).
     9 Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор, В (В-С junctij
       potential pc[VJC]).
     9 Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер, В (В-Е junction
       potential ре [VJE]).
   Набор задаваемых параметров для биполярных транзисторов в EWB 5.0 соб-
ран в пяти окнах-закладках. Дополнительные параметры находятся в последних
трех закладках. Эти параметры имеют следующее назначение:
     NF — коэффициент неидеальности в нормальном режиме;
     NR — коэффициент неидеальности в инверсном режиме;
     IKR — ток начала спада коэффициента усиления тока в инверсном режиме.
А;
     NC — коэффициент неидеальности коллекторного перехода;
     RBM — минимальное сопротивление базы при больших токах, 0м;
   IRB — ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% от
разниц RB-RBM, А;
  XTF — коэффициент, определяющий зависимость времени TF переноса за-
рядов через базу от напряжения коллектор-база;
  VTF — напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться его
влияние на TF, В;
  ITF — ток коллектора, при котором начинается сказываться его влияние на
TF, А;
   PTF — дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора
Fгр=l/(2πTF), град.;
     VJS — контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка, В;
     MJS — коэффициент плавности перехода коллектор-подложка;
     XCJC — коэффициент расщепления емкости база-коллектор;
   FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенных пе-
реходов;
                                                                                47

Страницы