Виртуальное проектирование электронных приборов и систем. Бердников А.В - 44 стр.

   EG — ширина запрещенной зоны, эВ;
  ХТВ — температурный коэффициент усиления тока в нормальном и инверс-
ном режимах;
   ХТ1 — температурный коэффициент тока насыщения;
   KF — коэффициент фликкер - шума;
   AF — показатель степени в формуле для фликкер - шума;

4.9.   Полевые транзисторы
   Первоначальное название полевых транзисторов — униполярные транзисто-
ры - было связано с тем, что в таких транзисторах используется основные носи-
тели одного типа (электронов или дырок). Процессы инжекции и диффузии в
таких транзисторах практически отсутствуют, во всяком случае, они не играют
принципиальной роли. Основным способом движения носителей является
дрейф в электрическом поле.




                        Рис. 36. Полевые транзисторы
   В программе EWB 5.0 полевые транзисторы представлены следующими
элементами, слева направо, сверху вниз):
9 n - канальный транзистор с управляющим p- n переходом;
9 p - канальный транзистор с управляющим p- n переходом;
9 n - канальный МДП транзистор со встроенным каналом, с общим выводом
   подложки и истока;
9 p - канальный МДП транзистор со встроенным каналом, с общим выводом
   подложки и истока;
9 n - канальный МДП транзистор со встроенным каналом, с раздельными вы-
   водами подложки и истока;
9 p - канальный МДП транзистор со встроенным каналом, с раздельными вы-
   водами подложки и истока;
9 n - канальный МДП транзистор с индуцированным каналом, с общим выво-
   дом подложки и истока;
9 p - канальный МДП транзистор со индуцированным каналом, с общим вы-
   водом подложки и истока;
9 n - канальный МДП транзистор со индуцированным каналом, с раздельными
   выводами подложки и истока;
9 p - канальный МДП транзистор со индуцированным каналом, с раздельными
   выводами подложки и истока;
9 n - канальный арсенид галлиевый транзистор;
9 p - канальный арсенид галлиевый транзистор;

                                                                           48