Виртуальное проектирование электронных приборов и систем. Бердников А.В - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

50
(Zero- bias bulk-drain junction capacitance Cbd [CBD]).
5. Емкость донной части перехода исток-подложка при нулевом смещении,
Ф (Zero-bias bulk-source junction capacitance Cbs [CBS]).
6. Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки, В (Bulk-junction
potential рВ [РВ]).
В программе EWB 5.0 количество параметров моделей МДП - транзисторов
размещаются в трех диалоговых окнах-закладках. К дополнительно введенным
относятся следующие параметры:
LD — длина области боковой диффузии, м;
RSH — удельное сопротивление диффузионных областей истока
и стока,
Oм;
JS — плотность тока насыщения перехода сток (исток)-подложка, А/м
2
CJ — удельная емкость донной части p-n - перехода сток (исток)-подложка
при нулевом смещении, Ф/м
2
;
CJSW — удельная емкость боковой поверхности перехода сток (исток)-
подложка, Ф/м;
MJ — коэффициент плавности перехода подложка-сток (исток);
CGSO — удельная емкость перекрытия затвор-исток (за счет боковой диф-
фузии), Ф/м;
CGDO — удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала (за счет
боковой диффузии), Ф/м;
CGBO — удельная емкость перекрытия затвор-подложка (вследствие
выхода
области затвора за пределы канала), Ф/м;
NSUB — уровень легирования подложки, 1/см
2
;
NSS — плотность медленных поверхностных состояний на границе кремний
— подзатворный оксид, 1/см
2
;
ТОХ — толщина оксида, м;
TPG — легирование затвора; +1 — примесью того же типа, как и для под-
ложки, -1 — примесью противоположного типа, 0 — металлом;
UO — подвижность носителей тока в инверсном слое канала, см
2
/В/с;
FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенного пе-
рехода подложки;
Параметры KF, AF и TNOM уже неоднократно рассматривались ранее.
Эквивалентные схемы МДП - транзисторов в EWB соответствуют самой
простой модели первого уровня программы PSpice.
Для арсенид - галлиевых полевых транзисторов (встроенная модель имеется
только в EWB 5.0) набор параметров по составу примерно такой же, как и для 
(Zero- bias bulk-drain junction capacitance Cbd [CBD]).
   5. Емкость донной части перехода исток-подложка при нулевом смещении,
Ф (Zero-bias bulk-source junction capacitance Cbs [CBS]).
   6. Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки, В (Bulk-junction
potential рВ [РВ]).
   В программе EWB 5.0 количество параметров моделей МДП - транзисторов
размещаются в трех диалоговых окнах-закладках. К дополнительно введенным
относятся следующие параметры:
  LD — длина области боковой диффузии, м;
  RSH — удельное сопротивление диффузионных областей истока и стока,
Oм;
  JS — плотность тока насыщения перехода сток (исток)-подложка, А/м2
  CJ — удельная емкость донной части p-n - перехода сток (исток)-подложка
при нулевом смещении, Ф/м2;
  CJSW — удельная емкость боковой поверхности перехода сток (исток)-
подложка, Ф/м;
  MJ — коэффициент плавности перехода подложка-сток (исток);
  CGSO — удельная емкость перекрытия затвор-исток (за счет боковой диф-
фузии), Ф/м;
  CGDO — удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала (за счет
боковой диффузии), Ф/м;
  CGBO — удельная емкость перекрытия затвор-подложка (вследствие выхода
области затвора за пределы канала), Ф/м;
  NSUB — уровень легирования подложки, 1/см2;
  NSS — плотность медленных поверхностных состояний на границе кремний
— подзатворный оксид, 1/см2;
  ТОХ — толщина оксида, м;
  TPG — легирование затвора; +1 — примесью того же типа, как и для под-
ложки, -1 — примесью противоположного типа, 0 — металлом;
  UO — подвижность носителей тока в инверсном слое канала, см2/В/с;
   FC — коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенного пе-
рехода подложки;
  Параметры KF, AF и TNOM уже неоднократно рассматривались ранее.
  Эквивалентные схемы МДП - транзисторов в EWB соответствуют самой
простой модели первого уровня программы PSpice.
   Для арсенид - галлиевых полевых транзисторов (встроенная модель имеется
только в EWB 5.0) набор параметров по составу примерно такой же, как и для

                                                                         50

Страницы