Виртуальное проектирование электронных приборов и систем. Бердников А.В - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

49
Параметры моделей полевых транзисторов (в квадратных скобках приведе-
ны их обозначения в EWB 5.0):
1. Напряжение отсечки, В (Threshold voltage VTO [VTO]) — напряжение ме-
жду затвором и истоком полевого транзистора с р—n- переходом или с изоли-
рованным затвором, работающих в режиме обеднения, при котором ток стока
достигает заданного низкого напряжения. Для транзисторов с изолированным
затвором, работающих в
режиме обогащения, этот параметр называется поро-
говым напряжением.
2. Коэффициент пропорциональности, А/В^ (Transconductance coefficient В
[КР]).
3. Параметр модуляции длины канала, 1/В (Channel-length modulation 1m
[LAMBDA]).
4. Объемное сопротивление области стока, 0м (Drain ohmic resistance Rd
[RD]).
5. Объемное сопротивление области истока, 0м (Source ohmic resistance Rs
[RS]).
6. Ток насыщения р—n-перехода, A (Gate-junction saturation current Is [IS]) —
только для полевых транзисторов с р—n-переходом.
7. Емкость между затвором и стоком при
нулевом смещении, Ф (Zero-bias
gate-drain junction capacitance Cgd [CGD]).
8. Емкость между затвором и истоком при нулевом смещении, Ф (Zero-bias
gate-source junction capacitance Cgs [CGS]).
9. Контактная разность потенциалов р— n-перехода, В (Gate-junction
potential pb [РВ]) — только для полевых транзисторов с р—n-переходом.
Необходимо отметить, что в EWB для полевых транзисторов используются
модели PSpice.
По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы включения
полевых транзисторов: с
общим затвором (O3), с общим истоком (ОИ) и с об-
щим стоком (ОС).
В диалоговом окне установки параметров МДП-транзисторов по сравнению
с униполярными транзисторами содержатся дополнительные параметры, назна-
чение которых заключаются в следующем (в квадратных скобках — обозначе-
ния параметров, приятые в EWB 5.0).
1. Поверхностный потенциал, В (Surface potential ph [PHI]).
2. Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое
напряжение, В
½
(Bulk-threhold parametr g [GAMMA]).
3. Емкость между затвором и подложкой, Ф (Gate-bulk capacitance Cgb
[CGB]).
4. Емкость донной части перехода сток-подложка при нулевом смещении, Ф 
  Параметры моделей полевых транзисторов (в квадратных скобках приведе-
ны их обозначения в EWB 5.0):
   1. Напряжение отсечки, В (Threshold voltage VTO [VTO]) — напряжение ме-
жду затвором и истоком полевого транзистора с р—n- переходом или с изоли-
рованным затвором, работающих в режиме обеднения, при котором ток стока
достигает заданного низкого напряжения. Для транзисторов с изолированным
затвором, работающих в режиме обогащения, этот параметр называется поро-
говым напряжением.
  2. Коэффициент пропорциональности, А/В^ (Transconductance coefficient В
[КР]).
  3. Параметр модуляции длины канала, 1/В (Channel-length modulation 1m
[LAMBDA]).
  4. Объемное сопротивление области стока, 0м (Drain ohmic resistance Rd
[RD]).
  5. Объемное сопротивление области истока, 0м (Source ohmic resistance Rs
[RS]).
   6. Ток насыщения р—n-перехода, A (Gate-junction saturation current Is [IS]) —
только для полевых транзисторов с р—n-переходом.
   7. Емкость между затвором и стоком при нулевом смещении, Ф (Zero-bias
gate-drain junction capacitance Cgd [CGD]).
   8. Емкость между затвором и истоком при нулевом смещении, Ф (Zero-bias
gate-source junction capacitance Cgs [CGS]).
   9. Контактная разность потенциалов р— n-перехода, В (Gate-junction
potential pb [РВ]) — только для полевых транзисторов с р—n-переходом.
  Необходимо отметить, что в EWB для полевых транзисторов используются
модели PSpice.
  По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы включения
полевых транзисторов: с общим затвором (O3), с общим истоком (ОИ) и с об-
щим стоком (ОС).
   В диалоговом окне установки параметров МДП-транзисторов по сравнению
с униполярными транзисторами содержатся дополнительные параметры, назна-
чение которых заключаются в следующем (в квадратных скобках — обозначе-
ния параметров, приятые в EWB 5.0).
  1. Поверхностный потенциал, В (Surface potential ph [PHI]).
  2. Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение, В½
(Bulk-threhold parametr g [GAMMA]).
  3. Емкость между затвором и подложкой, Ф (Gate-bulk capacitance Cgb
[CGB]).
  4. Емкость донной части перехода сток-подложка при нулевом смещении, Ф
                                                                              49

Страницы