Виртуальное проектирование электронных приборов и систем. Бердников А.В - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КНИТУ-КАИ им. Туполева | Казань

Составители: 

Рубрика: 

46
открытого тринистора;
Gate Trigger current lgt [IGT], A — ток управляющего электрода;
Voltage at which lgt is measured Vd [VD], В — отпирающее напряжение на
управляющем электроде.
4.8. Биполярные транзисторы
Рис. 35. Биполярные транзисторы
В библиотеку EWB включено достаточно большое количество импортных
биполярных транзисторов, отечественные аналоги которых можно найти в
справочниках. В некоторых случаях может оказаться более удобным самостоя-
тельно создать отдельную библиотеку отечественных транзисторов, используя
команду Model.
В
состав параметров транзисторов включены следующие (в квадратных
скобках приведены обозначения параметров, принятые в EWB 5.0):
9 Обратный ток коллекторного перехода, A (Saturation current Is [IS]);
9 Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ Н21э (Forward current gain
coefficient BF [BF]);
9 Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном включении
транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами) (Reverse current
gain coefficient BR [BR]);
9 Объемное сопротивление базы, Oм
(Base ohmic resistance rb [RB]);
9 Объемное сопротивление коллектора, Oм (Collector ohmic resistance re
[RC]);
9 Объемное сопротивление эмиттера, Oм (Emitter ohmic resistance re [RE]);
9 Ёмкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении, Ф (Zero-bias B-
E junctin capacitance Ce [CJE]);
9 Ёмкость коллекторного перехода при нулевом напряжении, Ф (Zero-bias
С-Е junction capacitance Cc [CJC]);
9 Ёмкость коллектор-подложка, Ф (Substrate capacitance Cs [CJS]);
9 Время переноса заряда через базу, с (Forward transit time IF [TF]);
9 Время переноса заряда через базу в инверсном включении
, с (Revers
transit time tR [TR]);
9 Коэффициент плавности эмиттерного перехода (B-E junction grading
coefficient me [ME] 
открытого тринистора;
  Gate Trigger current lgt [IGT], A — ток управляющего электрода;
  Voltage at which lgt is measured Vd [VD], В — отпирающее напряжение на
управляющем электроде.

4.8. Биполярные транзисторы




                        Рис. 35. Биполярные транзисторы

   В библиотеку EWB включено достаточно большое количество импортных
биполярных транзисторов, отечественные аналоги которых можно найти в
справочниках. В некоторых случаях может оказаться более удобным самостоя-
тельно создать отдельную библиотеку отечественных транзисторов, используя
команду Model.
   В состав параметров транзисторов включены следующие (в квадратных
скобках приведены обозначения параметров, принятые в EWB 5.0):
  9 Обратный ток коллекторного перехода, A (Saturation current Is [IS]);
  9 Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ Н21э (Forward current gain
    coefficient BF [BF]);
  9 Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном включении
    транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами) (Reverse current
    gain coefficient BR [BR]);
  9 Объемное сопротивление базы, Oм (Base ohmic resistance rb [RB]);
  9 Объемное сопротивление коллектора, Oм (Collector ohmic resistance re
    [RC]);
  9 Объемное сопротивление эмиттера, Oм (Emitter ohmic resistance re [RE]);
  9 Ёмкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении, Ф (Zero-bias B-
    E junctin capacitance Ce [CJE]);
  9 Ёмкость коллекторного перехода при нулевом напряжении, Ф (Zero-bias
    С-Е junction capacitance Cc [CJC]);
  9 Ёмкость коллектор-подложка, Ф (Substrate capacitance Cs [CJS]);
  9 Время переноса заряда через базу, с (Forward transit time IF [TF]);
  9 Время переноса заряда через базу в инверсном включении, с (Revers
    transit time tR [TR]);
  9 Коэффициент плавности эмиттерного перехода (B-E junction grading
    coefficient me [ME]

                                                                           46

Страницы