Электротехника и основы электроники. Бочарова Н.В. - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

слой n-области обедняется электронами и в нём возникает положитель-
ный объёмный заряд за счёт ионизированных атомов доноров. Область
р-n-перехода, имеющая пониженную концентрацию основных носите-
лей, называется запирающим слоем. За счёт положительного объёмного
заряда в пограничном слое n-области электрический потенциал этой
области остановится выше, чем потенциал р-области.
Между n и р-областями возникает разность потенциалов, которая
называется контактной. Поскольку электрическое поле р-n-перехода
препятствует диффузии основных носителей в соседнюю область, то
считают, что между р- и n-областями установился потенциал барьер.
При прямом включении р-n-перехода, когда «+» источника пита-
ния подаётся на область р, а «–» – на область n, потенциальный барьер
уменьшается. Вследствие этого, диффузия основных носителей через
р-n-переход значительно облегчается и во внешней цепи возникает
ток. При обратном включении р-n-перехода, когда «+» источника по-
даётся на область n, а «–» – на область р, потенциальный барьер воз-
растает. В этом случае переход основных носителей из одной области
в другую затрудняется и уменьшается ток во внешней цепи. Зависи-
мость тока, протекающего через р-n-переход, от приложенного к нему
напряжения, называется вольт-амперной характеристикой.
По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на
выпрямительные, импульсные и полупроводниковые стабилитроны.
Выпрямительный диод
Принцип действия выпрямительного диода основан на использо-
вании выпрямительных свойств р-n-перехода. Основными параметра-
ми выпрямительных диодов являются:
I
а ср.доп.
– допустимое (из условий нагрева) среднее значение пря-
мого тока.
U
вдоп
– допустимое обратное напряжение, ограниченное возмож-
ностью электрического пробоя р-n-перехода.
На расчётах электрических цепей, в состав которых входит диод,
используют его статическое r
ст
и дифференциальное r
д
сопротивле-
ния, которые можно определить по его вольт-амперной характеристи-
ке (рис. 7.1).
44
I
U
r
СТ
=
;
I
U
dI
dU
r
Д
Δ
≈= .
Δ
слой n-области обедняется электронами и в нём возникает положитель-
ный объёмный заряд за счёт ионизированных атомов доноров. Область
р-n-перехода, имеющая пониженную концентрацию основных носите-
лей, называется запирающим слоем. За счёт положительного объёмного
заряда в пограничном слое n-области электрический потенциал этой
области остановится выше, чем потенциал р-области.
    Между n и р-областями возникает разность потенциалов, которая
называется контактной. Поскольку электрическое поле р-n-перехода
препятствует диффузии основных носителей в соседнюю область, то
считают, что между р- и n-областями установился потенциал барьер.
    При прямом включении р-n-перехода, когда «+» источника пита-
ния подаётся на область р, а «–» – на область n, потенциальный барьер
уменьшается. Вследствие этого, диффузия основных носителей через
р-n-переход значительно облегчается и во внешней цепи возникает
ток. При обратном включении р-n-перехода, когда «+» источника по-
даётся на область n, а «–» – на область р, потенциальный барьер воз-
растает. В этом случае переход основных носителей из одной области
в другую затрудняется и уменьшается ток во внешней цепи. Зависи-
мость тока, протекающего через р-n-переход, от приложенного к нему
напряжения, называется вольт-амперной характеристикой.
    По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на
выпрямительные, импульсные и полупроводниковые стабилитроны.
     Выпрямительный диод
     Принцип действия выпрямительного диода основан на использо-
вании выпрямительных свойств р-n-перехода. Основными параметра-
ми выпрямительных диодов являются:
     Iа ср.доп. – допустимое (из условий нагрева) среднее значение пря-
мого тока.
     Uвдоп – допустимое обратное напряжение, ограниченное возмож-
ностью электрического пробоя р-n-перехода.
     На расчётах электрических цепей, в состав которых входит диод,
используют его статическое rст и дифференциальное rд сопротивле-
ния, которые можно определить по его вольт-амперной характеристи-
ке (рис. 7.1).
                              U        dU ΔU
                      rСТ =     ; rД =    ≈    .
                              I        dI   ΔI


                                     44

Страницы