Составители:
Рубрика:
U
b
U
bmax
Δ
U
Δ
I
U
a
I
b
I
a
Рис. 7.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
Полупроводниковый стабилитрон
Это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области про-
боя незначительно зависит от тока. Это свойство прибора используется для
стабилизации напряжения. На рис.
7.2 показана вольт-амперная характе-
ристика стабилитрона.
U
b
U
ст
Δ
U
ст
U
a
I
b
I
a
Основными параметрами по-
лупроводникового стабилитрона
являются:
U
ст
– напряжение стабилизации,
равное напряжению пробоя;
Δ
I
ст
I
ст min
I
ст max
I
ст.min
– минимальный ток ста-
билитрона, определяемый началом
устойчивого пробоя;
I
ст.max
– максимальный ток ста-
билитрона, достижение которого не
грозит тепловым пробоем;
45
СТ
СТ
Д
I
U
r
Δ
Δ
=
– дифференциаль-
ное cопротивление стабилитрона на участке, где
Δ
U
СТ
и
Δ
I
СТ
опреде-
ляют по его вольт-амперной характеристике стабилизации.
Рис.7.2
Вольт-ампе
р
ная ха
р
акте
р
истика
Рис. 7.2. Вольт-амперная характеристика
стабилит
р
она
Ia
ΔI
Ub Ubmax ΔU Ua
Ib
Рис. 7.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
Полупроводниковый стабилитрон
Это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области про-
боя незначительно зависит от тока. Это свойство прибора используется для
стабилизации напряжения. На рис. Ia
7.2 показана вольт-амперная характе-
ристика стабилитрона.
Основными параметрами по-
лупроводникового стабилитрона
являются: Δ Uст
Uст
Uст – напряжение стабилизации, Ua
равное напряжению пробоя; Ub
Iст.min – минимальный ток ста- Iст min
билитрона, определяемый началом
устойчивого пробоя; Δ Iст
Iст.max – максимальный ток ста-
Iст max
билитрона, достижение которого не
Ib
грозит тепловым пробоем;
ΔU СТ Рис.7.2
Рис. Вольт-амперная характеристика
7.2. Вольт-амперная характеристика
rД = – дифференциаль- стабилитрона
ΔI СТ
ное cопротивление стабилитрона на участке, где ΔUСТ и ΔIСТ опреде-
ляют по его вольт-амперной характеристике стабилизации.
45
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
