Электротехника и основы электроники. Бочарова Н.В. - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Транзистор
Транзистор – полупроводниковый трёхэлектродный прибор, ши-
роко используемый для усиления генерирования или преобразования
электрических сигналов. Он представляет собой кристалл с трёхслой-
ной структурой р-n-р или n-р-n, помещённый в герметический корпус
с тремя выводами, каждый из которых связан с определённой обла-
стью кристалла. Одна из крайних областей транзистора называется
эмиттером, другая – коллектором, а средняя область называется ба-
зой. Таким образом, в транзисторе имеются два р-n-перехода: эмит-
терный (между эмиттером и базой) и коллекторный (между базой и
коллектором).
Существуют три схемы включения транзисторов: с общей базой
(ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Для каждой
из схем существуют свои входные и выходные статические характе-
ристики.
Входная статическая характеристика биполярного транзистора,
включенного по схеме с общим эмиттером, представляет собой зави-
симость тока базы от напряжения между эмиттером и базой при по-
стоянном значении напряжения, приложенного между эмиттером и
коллектором:
I
Б
= f(U
БЭ
), при U
КЭ
=const.
Выходная статическая характеристика транзистора, включенного
по схеме с общим эмиттером, представляет собой зависимость тока
коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при по-
стоянном токе базы
I
К
= f(U
КЭ
), при I
Б
= const.
На рис. 7.3 представлены статические характеристики транзисто-
ра, включенного по схеме с общим эмиттером.
По выходным характеристикам определяется основной параметр
транзистора – статический коэффициент передачи тока:
46
Б
K
Б
K
I
I
dI
dI
Δ
Δ
≈=
β
при U
КЭ
= const (
Δ
U
КЭ
= 0) 
   Транзистор
     Транзистор – полупроводниковый трёхэлектродный прибор, ши-
роко используемый для усиления генерирования или преобразования
электрических сигналов. Он представляет собой кристалл с трёхслой-
ной структурой р-n-р или n-р-n, помещённый в герметический корпус
с тремя выводами, каждый из которых связан с определённой обла-
стью кристалла. Одна из крайних областей транзистора называется
эмиттером, другая – коллектором, а средняя область называется ба-
зой. Таким образом, в транзисторе имеются два р-n-перехода: эмит-
терный (между эмиттером и базой) и коллекторный (между базой и
коллектором).
     Существуют три схемы включения транзисторов: с общей базой
(ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Для каждой
из схем существуют свои входные и выходные статические характе-
ристики.
     Входная статическая характеристика биполярного транзистора,
включенного по схеме с общим эмиттером, представляет собой зави-
симость тока базы от напряжения между эмиттером и базой при по-
стоянном значении напряжения, приложенного между эмиттером и
коллектором:
                      IБ = f(UБЭ), при UКЭ=const.
     Выходная статическая характеристика транзистора, включенного
по схеме с общим эмиттером, представляет собой зависимость тока
коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при по-
стоянном токе базы
                         IК = f(UКЭ), при IБ = const.
     На рис. 7.3 представлены статические характеристики транзисто-
ра, включенного по схеме с общим эмиттером.
     По выходным характеристикам определяется основной параметр
транзистора – статический коэффициент передачи тока:
                  dI K ΔI K
             β=       ≈     при UКЭ = const (ΔUКЭ = 0)
                  dI Б ΔI Б




                                  46

Страницы