Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

телей заряда в СР между отдельными квантовыми объектами называет-
ся вертикальным в отличие от переноса в изолированных КЯ и КН, ко-
торый называется планарным. В связи с этим СР называют низкораз-
мерными структурами с вертикальным переносом. Если в рассматривае-
мых структурах вертикальный перенос между квантовыми объектами
невозможен, их называют структурами с множеством изолированных
КЯ, КН, КТ. Свойства таких структур, как правило, совпадает со свой-
ствами отдельных квантовых объектов, поскольку вклады от всех них
просто суммируются.
Идея искусственных периодических структур, обладающих свой-
ствами не реализуемыми в природных веществах, была высказана в ра-
ботах Келдыша Л.В. ещё в 1962 году. Но реальным содержанием она на-
полнилась лишь после появления технологии молекулярно-лучевой эпи-
таксии (МЛЭ), позволившей изготовлять строго периодические искус-
ственные структуры с заранее заданными параметрами слоёв. В 1970
году Есаки и Цу выдвинули идею на базе МЛЭ создания в кристалле
путём изменения легирования или состава твёрдого раствора одномер-
ного периодического потенциала с периодом меньшим длины свободно-
го пробега электрона. Особое внимание учёные уделили так называе-
мым композиционным сверхрешёткам и предсказали наличие у них
необычных кинетических свойств. Двумя годами позднее Делер подроб-
но проанализировал электронные свойства «легированных» СР и пред-
сказал ряд новых особенностей, специфических именно для этих nipi -
кристаллов. С тех пор многие лаборатории стали уделять большое вни-
мание поискам новых периодических структур. Движущей силой на
этом пути являлись неординарные физические свойства указанных ма-
териалов и перспективы их использования в твёрдотельной и оптоэлек-
тронике с целью улучшения эффективности и качества имеющихся и
создания функционально новых приборов.
Наиболее изученными к настоящему времени являются периодиче-
ские сверхрешетки из КЯ [13]. К ним относятся полупроводниковые
композиционные и легированные СР, СР типа полуметалл-полупровод-
ник, СР на основе кремния и МДП структур [14]. Все решетки делятся
на две большие группы– контровариантные и ковариантные. Контрова-
риантными или первого типа называются СР в которых КЯ для электро-
нов и дырок в отличие от ковариантных СР находятся в одном и том же
месте (слое), т.е. носители заряда в них пространственно не разделены.
Наличие вертикального переноса приводит к тому, что СР из КЯ зани-
мают промежуточное значение между двух и трехмерными электронны-
ми системами.
12

Страницы