Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

основе гетероструктур. К ним относятся изопериодические, с напряжен-
ными слоями и политипные СР (рис. 1.11).
Изопериодическими композиционными называются СР, в которых
используются полупроводники с одинаковым или близкими постоянны-
ми кристаллической решетки. При этом условии гетерограница стано-
вится совершенной – без образования дефектов несоответствия, что
необходимо для проявления квантово размерных эффектов. Наиболее
изученными решетками такого типа является контровариантные СР
типа GaAs / Al
x
Ga
1-x
As при значении параметра сплава в твердом раство-
ре х < 0.35. Зонная диаграмма этой СР представлена на рис. 1.11 а. На-
личие КЯ для электронов и дырок в одном и том же слое узкозонного
полупроводника GaAs связано с тем, что разрывы дна зоны проводимо-
сти и вершины валентной зоны на гетерогранице имеют различный
знак.
В качестве примера изопериодических решеток второго типа (рис.
1.11 б) можно привести решетки типа In
1-x
Ga
x
As / GaSb
1-y
As
y
при
у=0.082 +0.918
⋅
х. На рис. 1.12 приведены две возможные зонные диа-
граммы этих решеток с перекрывающимися запрещенными зонами (а) и
неперекрывающимися (б). В обоих случаях квантовые ямы для электро-
нов и дырок находятся в разных слоях за счет того, что разрывы валент-
ной зоны и зоны проводимости на гетерогранице имеют одинаковый
знак.
В отличие от изопериодических СР с напряженными слоями состоят
из полупроводников с различными постоянными решетки. Чтобы избе-
жать дефектов несоответствия на гетерогранице, слои в этих решетках
делаются такими тонкими, что в них за счет упругих напряжений проис-
14
Рис. 1.12. Зонная диаграмма СР второго типа In
1-x
Ga
x
As / GaSb
1-y
As
y
с перекрыва-
ющимися запрещенными зонами (а) и неперекрывающимися (б) [14].

Страницы