Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

ческая диаграмма гетероперехода между этими слоями. Согласно этой
диаграмме квантовые ямы в такой СР существуют только для электро-
нов за счет разрыва дна зоны проводимости, равного ширине запрещен-
ной зоны полупроводника CdTe (1.49 эВ). Следует отметить, что разрыв
дна зоны проводимости сопровождается изменением симметрии волно-
вых функций от двукратно вырожденного с учетом спина неприводимо-
го представления Г
6
в CdTe до четырехкратно вырожденного Г
8
в Cd
x
-
Hg
1-x
Te [14].
1.5.3. СР на основе кремния и МДП-структур
С учетом того, что современная микроэлектроника в основном бази-
руется на Si, к созданию СР из этого материала были приложены осо-
бые усилия. К настоящему времени существуют монокристаллические
СР типа Si/Si
1-x
Ge
x
и аморфные из гидрогенезированного аморфного
кремния (α-Si:H) и гидрогенезированного аморфного германия (α-Ge:H),
или нитрида кремния (α-Si
1-x
N
x
:H), или карбида кремния (α-Si
1-x
C
x
:H).
Решетки эти не являются изопериодическими, хотя имеют гетерограни-
цы в основном бездефектные и почти атомно гладкие [14].
Сверхрешетку на основе кремния также можно получить с помощью
МОП-структуры (металл-оксид кремния-кремний), которая является
частным случаем МДП-структур (металл-диэлектрик-полупроводник).
СР на основе МДП-структур получаются с помощью нанесения се-
точного электрода в виде тонких параллельных металлических нитей на
16
Г
6
Г
8
Г
8
Cd
x
Hd
1-x
Te
CdTe
зона проводимости
валентная зона
Рис. 1.14. Энергетическая диаграмма гетероперехода Cd
x
Hg
1-x
Te / CdTe при
0<х<0.16

Страницы