Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 17 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

поверхность диэлектрика [14]. При подаче напряжения на электрод V

порядка ширины запрещенной зоны полупроводника (см. выше) образу-

ется одномерный периодический потенциал для электронов инверсион-

ных слоев.

1.5.4. Легированные СР

Периодическими легированными СР из КЯ называются структуры,

состоящие из периодически чередующихся слоев одного и того же по-

лупроводника, легированных донорами и акцепторами. В этих структу-

рах электроны с доноров из слоев n–типа переходят на акцепторы в

слои p–типа. Объемное разделение зарядов в случае достаточно узких

слоев создает периодическую совокупность параболических потенци-

альных ям. Для электронов эти ямы располагаются в слоях n–типа, а для

дырок в слоях p–типа (рис. 1.15). Таким образом, легированная СР яв-

ляется ковариантной или СР второго типа (рис. 1.11 б). В некоторых ре-

шетках слои n и p–типа разделяются слоями с собственной проводимо-

стью. Решетки такого типа получили название nipi–СР [4].

Для создания легированной СР можно использовать практически

любой полупроводник, допускающий легирование примесями n и p–

типа. Чаще всего для этого используется GaAs, получаемый методом

молекулярно лучевой эпитаксией. Первые легированные СР были полу-

чены в 1981 г. из тонких слоев GaAs с периодом от 5 нм до 300 нм, ле-

Рис. 1.15. Энергетическая диаграмма легированной СР.