Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

гированных атомами Si в качестве доноров и атомами Be в качестве ак-
цепторов.
Преимуществом легированных СР по сравнению с композиционны-
ми является то, что относительно малая концентрация легирующих при-
месей в них (10
17
-10
18
см
-3
) вносит несущественные искажения в решет-
ку исходного материала. Следовательно, легированные СР не содержат
типичных для композиционных СР гетерограниц, с которыми связаны
возможности разупорядочения состава или появление напряжений несо-
ответствия. Кроме этого путем должного подбора уровней легирования
ширину эффективной запрещенной зоны в этих СР можно менять в ши-
роких пределах–от нуля до ширины запрещенной зоны исходного мате-
риала [14].
1.5.5. Композиционно-легированные СР
Композиционные СР, в которых легированы слои одного из полу-
проводников или обоих (в этом случае тип проводимости слоев должен
быть разным) называются композиционно-легированными. Наибольший
интерес среди таких решеток представляют композиционные контрова-
риантные СР GaAs / Al
x
Ga
1-x
As с легированным широкозонным слоем n–
типа. За счет того, что энергия донорных состояний в Al
x
Ga
1-x
As нахо-
дится выше дна зоны проводимости GaAs, электроны из широкозонного
слоя переходят в нелегированный узкозонный слой, пространственно
разделяясь с породившими их донорами. Таким образом, все подвиж-
ные носители заряда при достаточно низких температурах локализуют-
ся в слоях GaAs, где их движение вдоль гетерограниц–планарный пере-
нос–происходит практически без рассеяния на ионах примеси, что соот-
18
Рис. 1.16. Энергетическая диаграмма композиционно-легированной
СР типа i-GaAs / n-Al
x
Ga
1-x
As [14].

Страницы