Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 15 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

ходит согласование решеток. Примерами таких СР являются решетки на

базе гетероструктур GaAs / In

1-x

As, GaAs / GaAs

1-x

, GaP / GaAs

1-x

ZnS / ZnSe, GaSb / AlSb. [14]

Политипными композиционными называются СР, период которых

состоит из более чем двух различных слоев (рис. 1.11 в). Наиболее изу-

ченной СР такого типа является почти изопериодическая решетка, пери-

од которой состоит из трех базовых слоев–А–AlSb (6.136 Å), В–GaSb

(6.095 Å), С–InAs (6.058 Å). Буквы А, В, С–краткое обозначение слоев.

В скобках указаны значения периодов решеток этих полупроводников.

На рис. 1.13 а. представлено положение краев зон этих полупроводни-

ков относительно вакуумного уровня. Рассматриваемые политипные ре-

шетки конструируются из базовых элементов с периодом типа ВАС,

АВСА, АСВСА и т.д. На рис. 1.13 б. представлена энергетическая диа-

грамма политипных СР типа АВС и АВАС [14]. Буквы Г, L, Х на рисун-

ке указывают в какой точке зоны Бриллюэна находится данный уровень

энергии.

1.5.2. СР типа полуметалл-полупроводник

Наиболее изученная СР данного типа, широко применяемая в фото-

детекторах ИК–излучения, состоит из слоев полуметалла Cd

1-x

(0<х<0.16) и полупроводника CdTe. На рис. 1.14 представлена энергети-

Рис. 1.13. Энергия краев зон полупроводников А–AlSb, В–GaSb, С–InAs (а) и энер-

гетическая диаграмма двух типов политипных сверхрешеток (б). Заштрихован-

ные области отвечают запрещенным зонам