Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( ) ( )
( )
( )
[ ]
∑ ∑
>
−
ε
ω
=ωα
ji
i0j0ji
2
00
EfEfw
VFnc
2
k
kk
k
, (4.4)
где
( ) ( )
( )
ω−−δ
ω
π
=
kk
kk
ji
2
ij
2
0
0
ji
EEP
m2
eF2
w
(4.5)
–вероятность оптического перехода электрона из состояния с волновой
функцией
k
j
ψ
в состояние
k
i
ψ
; i, j –дискретные квантовые числа ко-
нечного и начального состояния (номер зоны); k–квазидискретный вол-
новой вектор, размерность которого определяется числом степеней сво-
бодного движения электронов. В объемных полупроводниках этот век-
тор трехмерный, в КЯ–двумерный, в КН–одномерный, в КТ–нульмер-
ный;
( )
k
k
jj
EE
=
,
( )
k
k
ii
EE
=
–энергия начального и конечного состоя-
ния электрона;
( )
dV
ˆ
P
j
V
iij
kk
psk
ψψ=
∫
∗
(4.6)
–матричный элемент проекции оператора импульса
∇−=
i
ˆ
p
на свето-
вой вектор; s–единичный вектор, параллельный световому вектору;
- коэффициент преломления света; с – скорость света;
0
F
–ам-
плитуда светового вектора;
0
m
- масса свободного электрона;
( )
Ef
0
-
равновесная функция Ферми-Дирака, значение которой для электронов
в валентной зоне можно рассматривать близким к единице, а для элек-
тронов в зоне проводимости близким к нулю; V – объем, занимаемый
электронным газом.
В области края собственного поглощения для разрешенных оптиче-
ских переходов [16] в окрестности точки k=0 зависимость коэффициен-
та поглощения от частоты с учетом (4.4) можно представить в виде
( ) ( )
ωρ
ω
≅ωα
∑
<
civj
2
ij
civj
P
С
, (4.7)
где индекс c соответствует зоне проводимости, v–валентной зоне; С–
константа пропорциональности, в области края слабо зависящая от ча-
стоты за счет показателя преломления; матричный элемент импульса
( )
0PP
civjcivj
=
;
46

Страницы