Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

дет переходить в кривую плотности состояний объемного полупровод-
ника.
Для объемной концентрации носителей заряда в СР из слабо взаимо-
действующих КЯ в одноминизонном приближении получается формула,
аналогичная (3.10), в которой следует заменить
s
n
на
V
n
, а
s
N
на
TkN
0
VV
ρ=
:
ξ
+
π
=
ξ
+=
Tk
exp1ln
d
Tk*m
Tk
exp1lnNn
0
2
0
0
V
V
. (3.20)
В предельных случаях вырождения из (3.20) получаются формулы, ана-
логичные (3.11).
4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Основными характеристиками оптических свойств полупроводников
и структур на их основе является дисперсия комплексного показателя
преломления N, как функции частоты или длины волны света [16]. В
изотропном случае распространение света вдоль оси x связано с
комплексным показателем преломления формулой
( )
( )
−
⋅ω
ω=
t
c
xN
iexpt,x
0
FF
, (4.1)
44
с
V
ρ
V
2
ρ
б
а
3
∆
2
∆
1
∆
( )
E
V
ρ
E
4
E
3
E
2
E
1
E
V
3
ρ
Рис. 3.3. Зависимость плотности состояний СР от энергии
в окрестности дна зоны проводимости (вершины валентной зоны):
а)
; б)
; с) трехмерная плотность.

Страницы