Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( ) ( )( )
( )
( )
m
mz
k
zmm
EE
EE*m2L
2kEE2EN
z
−θ
π
−
=−θ=
∑
, (3.12)
где
z
L
–длина КН. Для плотности состояний, рассчитанной на единицу
длину КН–линейная плотность состояний–из формулы (3.2) с учетом
(3.3) и (3.12) получаем
( ) ( )
( )
∑ ∑
−
−θ
π
=ρ=ρ
m m
m
m
LmL
EE
EE*m2
EE
. (3.13)
На рис. 3.2 представлена качественная зависимость функции
( )
E
L
ρ
для
изолированной КН. Из рисунка следует, что эта плотность состояний
является аналогом плотности состояний трехмерных структур в одно-
родном магнитном поле. Отличительной особенностью от трехмерного
случая является отсутствие периодической зависимости в чередовании
пиков, наличие которой в объемных полупроводниках определяется эк-
видистантным характером уровней Ландау.
Для линейной концентрации носителей заряда с учетом (3.1) и (3.13)
после несложных преобразований получаем
( )
dE
E
EEf
EE
*m22
n
m
0
m0
mL
∑
∫
∞
∂
+∂
−+
π
=
. (3.14)
В одноподзонном приближении для предельных случаев вырожде-
ния из формулы (3.14) следует
−<ξ<
ξ
π
−<ξ
ξ
=
120
2/1
0
L
0
0
L
L
EETk4,
Tk
N
2
Tk,
Tk
expN
n
. (3.15)
42
( )
E
L
ρ
E
1
Рис. 3.2. Зависимость линейной плотности состояний в изолированной КН
от энергии в окрестности дна зоны проводимости (вершины валентной зоны).

Страницы