Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

висимости является одинаковая высота ступенек, имеющая место в при-
ближении
14
независимости m* от номера подзоны.
С учетом формул (3.1) и (3.6), для поверхностной концентрации но-
сителей заряда имеем
∑
=
m
sms
nn
, (3.8)
где
( ) ( ) ( )
−
+=+ρ=−θρ=
∫∫
∞
Tk
EF
exp1lnNdEEEfdEEEEfn
0
m
s
0
m0s
E
E
m0ssm
max
min
(3.9)
–поверхностная концентрация в подзоне с номером m,
TkN
0ss
⋅ρ=
–эф-
фективная плотность состояний в подзоне. В одноподзонном приближе-
нии, когда носители заряда в основном находятся в нижней подзоне (
222
120
a*m2~EETk
π−< <
)
( )
ξ
+=ρ=
∫
∞
Tk
exp1lnNdEEfn
0
s
0
0ss
, (3.10)
где
1
EF
−=ξ
–приведенный уровень Ферми. Для предельных случаев
невырожденного газа носителей заряда и вырожденного из формулы
(3.10) для поверхностной концентрации в одноподзонном приближении
получаем
−<ξ<
ξ
−<ξ
ξ
=
120
0
s
0
0
s
s
EETk4,
Tk
N
Tk,
Tk
expN
n
. (3.11)
Формула (3.11) аналогична формуле для концентрации невырожденных
электронов в трехмерных структурах, если в ней заменить трехмерную
объемную плотность состояний на двумерную поверхностную.
Для квантовых нитей формула (3.5) с учетом (2.20) принимает сле-
дующий вид
14
При точных расчетах значение m* зависит от номера подзоны за счет проникнове-
ния волновых функций в барьеры, величина которого зависит от энергии.
41

Страницы