Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

3.1. Изолированные квантовые ямы и нити
С учетом (2.8) формула для функции
( )
EN
в изолированной КЯ
принимает вид
( ) ( )
∑
=
m
m
ENEN
, (3.4)
где
( )
EN
m
–число разрешенных состояний в подзоне номера m с энерги-
ей от
min
m
E
до E:
( ) ( )( ) ( ) ( )
mm
2
mm
EEEE
*Sm
EE2EN
−θ−
π
=−θ=
∑
⊥
⊥
k
k
. (3.5)
Формула получена с помощью перехода от суммирования по
⊥
k
к инте-
грированию. Фактор 2 перед суммой учитывает наличие у электрона
спина. С учетом (3.2) для плотности состояний, рассчитанной на едини-
цу площади слоя КЯ, получаем
( ) ( ) ( )
∑ ∑
−θρ=ρ=ρ
m m
mssms
EEEE
, (3.6)
где
2
s
*m
π
=ρ
(3.7)
–поверхностная (двумерная) плотность состояний в двумерной подзоне
КЯ, не зависящая от энергии и номера подзоны. На рис. 3.1 представле-
на ступенчатая зависимость двумерной плотности состояний от энер-
гии, определяемая формулой (3.6). Характерной особенностью этой за-
40
E
4
E
3
E
2
E
1
E
Рис. 3.1. Зависимость поверхностной плотности состояний в изолированной КЯ
от энергии в окрестности дна зоны проводимости (вершины валентной зоны).

Страницы