Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( )
2
n
2
сiссi
k
m2
EEЕ
⊥⊥
++=
k
, (4.13)
Матричный элемент импульса (4.6) с учетом вида функций (4.10), (4.11)
равняется
( ) ( ) ( )
mcmvcv
V
jviccivj
SPdV
ˆ
rP
′
∗
⊥
⋅=ψψ=
∫
⊥⊥
rpsk
kk
, (4.14)
где
( ) ( )
dVu
ˆ
u
1
P
vccv
rpsr
∫
Ω
∗
Ω
=
, (4.15)
- матричный элемент проекции оператора импульса на световой вектор,
определяющий вероятность межзонного оптического перехода в обла-
сти края собственного поглощения объемного прямозонного полупро-
водника, из которого состоит КЯ;
Ω
- объем элементарной ячейки этого
полупроводника;
( ) ( )
∫
ϕϕ=
∗
L
vjcicivj
zdzzS
, (4.16)
интеграл перекрытия огибающих функций, определяющий дополни-
тельные правила отбора для вероятности межзонного оптического пере-
хода между подзонами одномерной КЯ; L – эффективная ширина КЯ с
учетом туннелирования электронов в потенциальные барьеры (ПБ). В
приближении бесконечно глубоких КЯ с учетом формул для огибаю-
щих (2.5) интеграл перекрытия принимает два возможных значения:
ijcivj
S
δ=
. (4.17)
Из формулы (4.17) следует, что межзонное оптическое поглощение в
рассматриваемом случае имеет место только между подзонами с одним
и тем же номером. В случае КЯ конечной высоты за счет туннелирова-
ния электронов в барьеры возможным становится поглощение, связан-
ное с переходами между подзонами разного номера, но одной и той же
четности. Однако интенсивность этого поглощения будет намного сла-
бее, чем поглощение между подзонами с одним и тем же номером.
С учетом выше приведенных формул (4.7)-(4.17) выражение для ко-
эффициента поглощения света в КЯ в области края собственного погло-
щения принимает следующий вид
48

Страницы