Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( ) ( )
ωρ
ωε
π
=ωα
∑
civj
2
ij
civj
2
2
cv
2
cv
S
Vmnc
Pe2
°°
, (4.18)
где
( )
ωρ
civj
- функция оптической плотности (4.8), равная
( ) ( ) ( )
( )
∑
⊥
ω−−δ=ωρ
⊥⊥
k
kk
vjciсivj
EE
( )
civjg
2
op
EE
2
Sm
−−ωθ
π
=
, (4.19)
где
vcg
EEE
−=
- ширина запрещенной зоны объемного полупроводни-
ка;
vjcicivj
EEE
+=
;
оp
m
- оптическая эффективная масса или эффектив-
ная масса оптической плотности состояний
pnop
m/1m/1m/1
+=
. (4.20)
Как указывалось ранее, зависимость функции оптической плотности
совпадает с зависимостью плотности состояний от энергии в отдельных
подзонах разрешенных зон (см. (3.6)).
С учетом (4.19) формула (4.18) принимает следующий вид:
( )
( )
β
β
β
−ωθ⋅=ωα
∑
cv
2
КЯ
cv
КЯ
cv
КЯ
cv
ESA
, (4.21)
где
;
( )
j,i
=β
- совокупность квантовых
чисел, соответствующих подзоне валентной зоны с номером j и подзоне
зоны проводимости с номером i;
aEmnc
Pem
A
g
2
2
cv
2
op
КЯ
cv
°°
ε
≈
(4.22)
- константа, значение которой определяется параметрами объемного
полупроводника, из которого состоит КЯ, и шириной квантовой ямы
S/Va
≈
;
КЯ
civj
S
- интеграл перекрытия волновых функций, определяе-
мый формулой (4.16) или (4.17).
Согласно формуле (4.21) край собственного поглощение света в КЯ
характеризуется следующими свойствами (рис.4.1):
1) Край полосы собственного поглощения, определяемый шириной
запрещенной зоны
1v1cg1cv
КЯ
g
EEEE
+==
, сдвигается в область более
высоких частот по сравнению с объемным полупроводником.
2) Дисперсия коэффициента поглощения в области края в общем слу-
чае носит ступенчатый характер. Каждой ступеньке соответствует до-
49

Страницы