Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 51 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( ) ( )
2
n
2
zсiссi
k
m2
kEEЕ
⊥
++=
k
, (4.26)
В приближении квазидвумерного электронного газа, для контравари-
антных СР из слабо взаимодействующих КЯ, с учетом формул (4.24)-
(4.26), выражение для коэффициента поглощения имеет вид (4.21), что и
для изолированной КЯ:
( )
( )
β
β
β
−ωθ⋅=ωα
∑
cv
2
СР
cv
СР
cv
СР
cv
ESA
, (4.27)
где
КЯ
cv
CP
cv
A
d
a
A
=
;
( ) ( )
∫
−
∗
β
ϕϕ≈=
2/d
2/d
0vj0ci
СР
civj
СР
cv
zdzz
d
1
SS
. (4.28)
Для рассматриваемых СР свойства собственного поглощения в обла-
сти края, как и следовало ожидать, совпадают со свойствами этого
поглощения в отдельной КЯ (рис. 4.2). Наличие коэффициента поглоще-
ния, отличного от нуля на пороговой частоте, дает возможность исполь-
зовать СР вместо объемных полупроводников для создания квантовых
генераторов с существенно более низким значением порогового тока.
Влияние дисперсии энергии минизон по компоненте волнового вектора
z
k
, описываемой формулой (2.34), приводит к тому, что ступенчатый
характер края межзонного поглощения света сглаживается (рис.4.2).
При низких температурах за счет влияния экситонных эффектов фор-
ма края собственного поглощения в изолированных КЯ и СР из слабо
взаимодействующих КЯ изменяется. На рис. 4.3 приведена качествен-
ная зависимость коэффициента поглощения в области края собственно-
51
α
1
2
ω
Е
3
Е
1
Е
2
Рис. 4.2. Спектр собственного поглощения СР в области пороговой частоты:
1-с учетом, 2-без учета дисперсии минизон.

Страницы