Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

полнительный вклад в межзонное поглощение от переходов между од-
ной из подзон валентной зоны и подзоной зоны проводимости. В связи с
этим коэффициент собственного поглощения света КЯ на пороговой ча-
стоте не равен нулю в отличие от объемного полупроводника.
3) Спектр коэффициента поглощения не зависит от поляризации све-
та и слабо зависит от температуры.
4) В КЯ, симметричных относительно центра, поглощение света меж-
ду подзонами определяется дополнительными правилами отбора, зави-
сящими от четности состояний в подзонах.
Для периодических СР из КЯ волновые функции начального и ко-
нечного состояния электронов при межзонном поглощении с учетом
(2.27) имеют следующий вид
( ) ( ) ( ) ( )
rikrr
k
vvjkvj
uzexp
V
1
z
ϕ=ψ
, (4.23)
( ) ( ) ( ) ( )
rikrr
k
ccikci
uzexp
V
1
z
ϕ=ψ
, (4.24)
Собственные значения энергии этих функций, отсчитанные от дна зоны
проводимости и вершины валентной зоны, с учетом (2.29) равны
( ) ( )
2
p
2
zvjvvj
k
m2
kEEЕ
⊥
−−=
k
, (4.25)
50
α
КЯ
ω
E
1
E
2
E
3
Рис. 4.1. Спектр собственного поглощения КЯ в области пороговой частоты:
КЯ
g1
EE
=
;
β
=
cvn
EE
.

Страницы