Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

но, и к изменению спектра собственного поглощения. С учетом формул
(4.29)-(4.32) для волновых функций и разрешенных значений энергии
выражение (4.7) для коэффициента поглощения за счет прямых разре-
шенных переходов электронов между подзонами валентной зоны и зоны
проводимости принимает следующий вид
( )
( )
( )
∑
β β
β
β
−ω
−ωθ
⋅=ωα
2/1
cv
cv
2
КН
cv
КН
cv
КН
сv
E
E
SA
, (4.33)
где
( )
SEmnc
Pem2
A
g
2
2
cv
2
2/1
op
КН
cv
°°
ε
≈
;
( ) ( )
∫
ϕϕ==
∗
β
S
vjci
КН
civj
КН
cv
Sdy,xy,xSS
; (4.34)
S – эффективная площадь поперечного сечения КН с учетом туннелиро-
вания электронов в потенциальный барьер. Согласно (4.33) спектр дан-
ного поглощения (рис. 4.4) аналогичен спектру осциллирующего погло-
щения света объемным полупроводником в магнитном поле [16]. Суще-
ственное отличие между этими спектрами поглощения связано с тем,
что расстояние между осцилляциями коэффициента поглощения в
объемном полупроводнике определяется величиной индукции магнит-
ного поля, а в КН – конструктивными параметрами двумерной КЯ.
Сплошной кривой на рис. 4.4 показан спектр поглощения с учетом взаи-
модействия электронов с колебаниями решетки (без учета экситонных
эффектов). За счет этого взаимодействия высота осцилляционных пиков
становится конечной, а ширина увеличивается.
53
α
КН
ω
E
1
E
2
E
3
Рис.4.4. Спектр собственного поглощения квантовой нити
в области пороговой частоты.

Страницы