Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

где
amnc2
e
A
2
00
2
ε
π
=
;
1cci1ci
EEE
−=
;
s
nn
=
- концентрация электронов в
зоне проводимости, определяемая формулой (3.10); а–эффективная ши-
рина КЯ. Формула (4.37) получена при условии, что концентрацией
электронов во всех возбужденных подзонах, кроме основной (нижней),
можно пренебречь. Это условие выполняется, если
кТEE
1cci
> >−
, т.е.
для достаточно узких КЯ в области низких температур. Согласно Этой
формуле межподзонное поглощение света в КЯ обладает следующими
свойствами.
1) Спектр данного поглощения является селективным, т.е. поглоще-
ние имеет место при определенных значениях энергии фотонов
1cii
E
=ω
;
2) Частоты спектра этого поглощения лежат в ИК–области, т.к.
g
2
n
22
i
E
am2
~
< <
π
ω
.
3) Спектр существенно зависит от концентрации электронов, т.е. от
степени легирования КЯ и температуры.
4) Величина коэффициента поглощения существенно зависит от по-
ляризации света относительно оси, перпендикулярной плоскости КЯ.
5) В симметричных КЯ конечной глубины оптические переходы
имеют место между подзонами разной четности.
В СР из одномерных КЯ n-типа выражение для дисперсии коэффи-
циента поглощения за счет переходов между минизонами, в приближе-
нии сильной связи, имеет тот же вид, что и в изолированных КЯ. При
этом в формуле (3.16) под
n
нужно понимать объемную равновесную
концентрацию электронов в нижней минизоне СР:
d/nn
1s
=
, (4.38)
( ) ( )
∫
−
∗
ϕϕ≈
2/d
2/d
10сz0ci1zci
zdzp
ˆ
z
d
1
P
(4.39)
- матричный элемент z – компоненты оператора импульса между огиба-
ющими функциями (2.27) с
нижней минизоны и возбужденной
минизоны c номером i.
Таким образом, свойства межминизонного поглощения света в
рассматриваемых СР аналогичны межподзонному поглощению в одно-
мерных КЯ с двумерным электронным газом.
55

Страницы