Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 57 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

4.5. Фотодетекторы ИК–излучения

Для создания фотодетекторов ИК–излучения в качестве активных

элементов обычно используются фоточувствительные гетероструктуры

типа n-GaAs/Al

1-x

As из множества изолированных одномерных КЯ

или СР из КЯ. Фотопроводимость в этих структурах для электрического

вектора световой волны, направленного перпендикулярно слоям гетеро-

структуры, возникает за счет ИК–поглощения, которое может происхо-

дить двумя способами. В первом способе спектр поглощения формиру-

ется за счет оптических переходов электронов из нижней подзоны, ле-

жащей в КЯ, в область квазинепрерывного энергетического спектра над

потенциальным барьером, где подвижность носителей велика. В этом

случае за счет фотоионизации КЯ [4] наблюдается широкая полоса

поглощения, край которой соответствует прямому оптическому перехо-

ду между нижнем уровнем подзоны и краем континуума (рис. 4.7 а). Во

втором способе селективный (см. выше) спектр поглощения формирует-

ся за счет межподзонных оптических переходов между нижней подзо-

∆+∆

Рис. 4.6. Спектр межподзонного ИК–поглощения СР

при условии слабого рассеяния – низких температур.



а б

Рис. 4.7. ИК-поглощение КЯ в поперечном электрическом поле.