Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 58 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

ной КЯ и возбужденной с последующим туннелированием носителей
заряда через потенциальный барьер в область континуума (рис. 4.7 б).
Подбирая соответствующие конструктивные параметры для отдельных
КЯ и СР, можно получить фотодетекторы как селективные, так и широ-
кополосные для любых длин волн ИК–спектра.
В связи с тем, что рассматриваемое ИК–поглощение зависит от сте-
пени поляризации излучения относительно нормали к квантовым слоям,
описанные фотоприемники должны содержать специальные приспособ-
ления, поляризующие падающий свет требуемым образом [1]. Для этого
существуют два основных способа. Свет может направляться в фото-
чувствительную структуру под углом через скошенный торец подложки
(рис. 4.8 а). В другом варианте свет проходит через подложку по норма-
ли, а должную поляризацию приобретает после отражения от дифракци-
онной решетки, специально нанесенной на верхнюю поверхность струк-
туры (рис.4.8 б).
Альтернативное решение проблемы поляризации, позволяющее избе-
жать описанных выше конструктивных усложнений, возможно при со-
здании фоточувствительных структур или из полупроводников с анизо-
тропным энергетическим спектром электронов в зоне проводимости или
из гетероструктур GaAs/Al
x
Ga
1-x
As р-типа. В первом случае за счет элек-
трического поля нормально падающей световой волны, электроны полу-
чают дополнительный импульс, перпендикулярный вектору электриче-
ского поля световой волны, что эквивалентно изменению этого импуль-
са в поляризованном свете. Во втором случае, который используется на
практике, фоточувствительность при нормальном падении света обеспе-
чивается сложным энергетическим спектром валентной зоны алмазо-
58
ω
ω
1
2
3
а
б
Рис. 4.8. Способы ввода ИК–излучения в фотоприемники с КЯ:
а – через скошенный торец подложки;
б – с помощью дифракционной решетки.
Цифрами обозначены: 1 – подложка; 2 - фоточувствительная структура с
КЯ;
3 – дифракционная решетка.

Страницы