Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 60 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

тели заряда находятся в нижней (основной) подзоне или минизоне, ис-
пытывая только внутриподзонное или внутриминизонное рассеяние.
В области слабых электрических полей, когда отклонение функции рас-
пределения
( )
k
ϕ
от равновесной
( )
Ef
0
можно считать малым, уравне-
ние (5.1) в одноминизонном приближении принимает следующий вид:
( )
( )
( ) ( ) ( )( )
kkk,kwEf
E
kvFq
k
0
ϕ−
′
ϕ
′
=
∂
∂
∑
′
, (5.2)
где
( ) ( )
( )
Efkfk
01
−=ϕ
;
( )
kEE
1
=
– энергия носителя заряда в основной
подзоне или минизоне;
( )
Ekv
k
∇=
– скорость носителя заряда.
С учетом анизотропного характера низкоразмерных полупроводни-
ковых структур для решения уравнения (5.2) можно использовать при-
ближение тензора времени релаксации. В этом приближении для реше-
ния уравнения (5.2) получаем
( )
( )
( )
kvFE
E
f
qk
ii
i
i
0
∑
τ
∂
∂
−=ϕ
, (5.3)
где
( )
( )
( )
′
−
′
=
τ
∑
′
kv
kv
1k,kw
1
i
i
k
i
(5.4)
– компонента тензора времени релаксации в главных осях тензора
обратной эффективной массы. Используя известное выражение, для
плотности электрического тока, с учетом (5.3), получаем
, (5.5)
где
jij
k
0
2
ij
vv
E
f
e
V
2
τ
∂
∂
−=σ
∑
(5.6)
– компонента тензора удельной проводимости.
5.2. Планарный перенос в квантовых ямах
Для двумерного газа носителей заряда в одномерных КЯ неравно-
весная добавка к функции распределения (5,3) с учетом симметрии
запишется в виде
( )
( )
( )
kvFE
E
f
qk
0
⊥
τ
∂
∂
−=ϕ
, (5.7)
60

Страницы