ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
уменьшению времени релаксации. Вывод остается неизменным и для
вырожденного газа.
С учетом полученных выше формул проведем анализ температурной
зависимости подвижности двумерного газа в КЯ. Согласно формуле
(5.8) температурная зависимость подвижности двумерных носителей за-
ряда определяется температурной зависимостью среднего времени ре-
лаксации. Для невырожденного газа носителей заряда среднее значение
двумерного времени релаксации, рассчитанное по формуле (5.9) с уче-
том (3.7), (3.10) и (5.12), равняется
( ) ( )
( )
( )
+αγ=
γ
=τ
+β+α
⊥
∞
+α
∞
β
⊥
⊥
∫
∫
2
5
ГTk
dEEfTk
dEEEfTk
2
1
2
3
0
0
00
0
00
, (5.13)
где Г(n) – Гамма-функция. В объемных полупроводниках с невыро-
жденным трехмерным газом зависимость среднего времени релаксации
от температуры определяется формулой [10]
( )
+αγ
π
=τ
β+α
2
5
ГTk
3
4
033
. (5.14)
В таблице 1 для основных механихмов рассеяния приведены значения
коэффициентов α, β [16] и
21
+β+α=δ
.
Согласно данным, приведенным в таблице, наличие размерного
квантования в КЯ существенно изменяет температурную зависимость
времени релаксации и подвижности для отдельных механизмов рассея-
ния. Следует отметить, что при рассеянии на ПОФ, которое при высо-
ких температурах в полупроводниках А
3
В
5
является основным, среднее
время релаксации двумерных носителей заряда не зависит от темпера-
Таблица 1.
Параметры основных механизмов рассеяния носителей заряда
трехмерного и двумерного газа полупроводников
Вид рассеяния
α β α+β δ
акустические фононы (АКФ) -1/2 -1 -3/2 -1
полярные оптические фононы (ПОФ) +1/2 -1 -1/2 0
ионы примеси (ИОН) +3/2 0 +3/2 2
Нейтральные примесные атомы (НПА) 0 0 0 +1/2
62
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 60
- 61
- 62
- 63
- 64
- …
- следующая ›
- последняя »
