Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

s
n
на объемную
V
n
, двумерную плотность состояний
s
ρ
на объемную
V
ρ
.
5.3.1. Область омической проводимости
Для вертикального переноса в СР из слабо взаимодействующих КЯ
формула (5.7) для неравновесной добавки к функции распределения
преобразуется к виду
( )
( ) ( )
dksin
2
d
FE
E
f
qk
zII
0
∆
τ
∂
∂
−=ϕ
, (5.17)
где вместо
z
v
стоит выражение, полученное с учетом (2.35) для скоро-
сти носителей заряда вдоль оси симметрии СР
( )
( )
dksin
2
d
kv
zz
∆
=
. (5.18)
Зависимость времени релаксации от энергии и температуры с учетом
того, что носители заряда при вертикальном переносе основное время
проводят в КЯ, имеет тот же вид, что и при планарном переносе
( )
2
1
ETk
0IIII
+α
β
γ=τ
. (5.19)
С учетом (5.17) удельную проводимость, описывающую вертикальный
перенос в области слабых классических полей, рассчитанную по форму-
ле (5.6), можно представить в виде
II
II
2
IIzzII
m
ne
qn
V
V
τ
=µ=σ=σ
, (5.20)
где
( )
−−τ
∂
∂
−=τ
∫
∞
V
V
N
n
exp1dEE
E
f
0
II
0
II
(5.21)
– усредненное по энергии время релаксации носителей заряда при вер-
тикальном переносе;
(5.22)
– усредненное по энергии значение обратной эффективной массы, свя-
занной с движением вдоль оси СР,
II
m
– эффективная масса электронов
64

Страницы