Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 66 стр.

UptoLike

Составители: 

В случае промежуточного вырождения носителей заряда зависимость
вертикальной проводимости от концентрации согласно (5.20)-(5.22) но-
сит экспоненциальный характер
τρ
=σ
V
V
V
N
n
exp1
m4
e
II
II
2
II
. (5.30)
С ростом концентрации экспоненциальный рост вертикальной проводи-
мости в области полного вырождения сменяется областью насыщения, в
которой зависимость проводимости от концентрации и температуры
определяется формулой (5.29).
5.3.2. Отрицательная дифференциальная проводимость в классиче-
ских полях
При вертикальном токопереносе в области сильных классических
полей вольт-амперная характеристика СР обнаруживает наличие отри-
цательной дифференциальной проводимости (ОДП). Наличие этого эф-
фекта связано с периодической зависимостью энергии минизоны от ква-
зиимпульса электрона, который существенно изменяется под действием
электрического поля при наличии слабого рассеяния. Для качественного
рассмотрения этого явления воспользуемся уравнениями квазиклассики.
Проведем расчет плотности электрического тока вдоль оси симметрии
СР оси z, учитывая изменение квазиимпульса под действием электри-
ческого поля и сил трения согласно классическому уравнению движе-
ния
II
zz
k
qF
t
k
τ
δ
=
, (5.31)
где
z
k
δ
- отклонение компоненты волнового вектора от равновесного
значения,
II
τ
- среднее значение продольного времени релаксации, не
зависящее от энергии. Решением этого уравнения для стационарного
тока является
II
z
qF
k
τ
=δ
. (5.32)
Для расчёта плотности продольного (вертикального) тока воспользуем-
ся общей формулой
( )
( )
==
k
dz0
envkvEfq2j
, (5.33)
66