Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 65 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

на дне минизоны, определяемая формулой (2.37);
VV
TkN
0
ρ=
– эффек-
тивная плотность состояний в нижней минизоне.
Для невырожденного газа носителей заряда (
VV
Nn
< <
) усредненное
время релаксации, рассчитанное по формуле (5.21), и среднее значение
обратной эффективной массы равны
( )
( )
2
3
0IIII
ГTk
2
1
+αγ=τ
+α+β
, (5.23)
II0II
m
1
Tk4m
1
⋅
∆
=
. (5.24)
С учетом одноминизонного приближения (
Tk
0
< <∆
) из формулы (5.24)
следует, что
IIII
mm
> >
, т.е. среднее значение эффективной массы но-
сителей заряда при вертикальном переносе много меньше эффективной
массы на дне минизоны и прямо пропорционально температуре. Отсюда
следует, что подвижность носителей заряда в СР при вертикальном
переносе много меньше, чем при планарном за счет увеличения эффек-
тивной массы.
Для зависимости подвижности невырожденного газа при вертикаль-
ном переносе от температуры с учетом формул (5.23) и (5.24) получаем
( )
2
1
Tk~
Tk8
dq
Tmk4
q
0
2
0
II
22
II0
II
II
−α+β
τ∆
=
τ∆
=µ
. (5.25)
Для вырожденного газа носителей заряда (
VV
Nn
> >
) из формул (5.21) и
(5.22) следует
( ) ( ) ( )
2
1
2
1
V
nTk~Tk
00IIIIII
+α
β
+α
β
ξγ=ξτ=τ
, (5.26)
1
IIII
V
n~
m
1
4m
1
−
⋅
ξ
∆
=
. (5.27)
Для вертикальной подвижности и проводимости с учетом полученных
формул имеем
, (5.28)
( ) ( )
( )
2
1
V
V
nTk~
8
d*me
m4
e
0
4
II
22
II
II
2
II
+α
β
π
ξτ∆
=
ξτ∆ρ
=σ
. (5.29)
65

Страницы