Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 5 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

ния квантовых размерных эффектов является наличие высокой плотно-

сти поверхностных состояний, играющих роль рассеивающих центров.

При этом длина свободного пробега пленки становится равной ее тол-

щине, что противоречит условию (1.2′).

1.2.2. МДП-структуры

Трехслойные структуры типа МДП (металл-диэлектрик-полупровод-

ник) при наличие положительного потенциала достаточной величины на

металле относительно слоя полупроводника р-типа (напряжение на ме-

таллическом затворе V

) имеют одномерную потенциальную яму для

электронов в слое полупроводника у границы с диэлектриком – инвер-

сионный слой (рис. 1.1). В отличие от тонких пленок параметры этой

потенциальной ямы, близкой к треугольной, а также концентрация элек-

тронов в ней существенно зависят от напряжения на затворе. Следова-

тельно, энергетический спектр уровней размерного квантования и плот-

ность двумерных носителей заряда в этих структурах можно изменять в

широких пределах меняя напряжение на затворе. Другим отличием от

тонких пленок является то, что в квантовой яме МДП-структур, нахо-

дятся только электроны полупроводника, дырки при этом движутся сво-

бодно и их энергетический спектр остается непрерывным [3].

Основным материалом для изготовления МДП-структур является

кремний, благодаря окислению которого создается однородный слой

высококачественного диэлектрика SiO

, имеющий требуемую толщину.

1.2.3. Гетероструктуры

Рис. 1.1.Зонная диаграмма МДП-структуры [1].