Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

нов, превосходящее 10
7
см
2
/(В⋅с), тогда как для лучших Si-МДП-струк-
тур µ≈5⋅10
4
см
2
/(В⋅с) [1]. За счет высокой подвижности условие (1.2) в
гетероструктурах выполняется с высокой точностью, что позволяет на-
блюдать различные тонкие эффекты.
В гетероструктуре на рис. 1.2. потенциальная яма для электронов об-
разована с одной стороны разрывом зоны проводимости, а с другой сто-
роны электростатическим полем перехода. На базе одиночной можно
создать двойную гетероструктуру Al
x
Ga
1-x
As/GaAs/Al
x
Ga
1-x
As, в которой
толщина узкозонного слоя a значительно меньше длины экранирования
электростатического потенциала. При этом получается гетероструктура,
которая является аналогом тонкой пленки (рис. 1.3.).
1.2.4. Дельта-слои
Дельта-слоем в объемном полупроводнике называется сильно леги-
рованный узкий слой толщиной в один или несколько периодов решет-
ки [5]. Ионизация примеси приводит к появлению электростатического
поля, создающего квантовую яму для образовавшихся носителей заряда
в области этого слоя
(рис. 1.4.). Отличительной
чертой дельта-слоев является
возможность получения в
них большой концентрации
двумерных носителей заряда,
заметно большей, чем в дру-
гих описанных структурах.
Однако подвижность носи-
телей заряда в них мала за
счет рассеяния на ионах примеси в области слоя.
1.2.5. Графен
Графеном называется принципиаль-
но новый материал – пленка из углеро-
да толщиной в один атом (рис. 1.5),
представляющая собой плоскую решет-
ку из атомов углерода, соединенных в
шестигранники (стопка таких слоев об-
разовала бы графит) [6]. Графен прозра-
чен, но невероятно прочен [7]. Харак-
терной особенностью графена является
очень высокая подвижность носителей
заряда и теплопроводность [8]. Создате-
7
Рис. 1.4. Зонная диаграмма дельта-слоя [1].
Рис. 1.5. Двумерная решетка
графена [6].

Страницы