ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Наиболее ярко эффекты размерного квантования проявляются в ге-
тероструктурах - контактах между полупроводниками с различной ши-
риной запрещенной зоны, полученных с помощью молекулярно-луче-
вой эпитаксии [4]. На таком контакте края энергетических зон испыты-
вают скачки, играющие роль потенциальных барьеров – стенок кванто-
вой ямы для носителей заряда. На рис. 1.2. [1] показана типичная зонная
диаграмма одиночного гетероперехода между полупроводниками n и p
типа, сходная с диаграммой МДП-структуры. Так же как и там в узко-
зонном полупроводнике вблизи границы раздела может образовываться
инверсионный слой, играющий роль потенциально ямы для электронов,
в которой существуют уровни размерного квантования.
Важнейшим досто-
инством гетероперехода
является высокое качество
гетерограницы, которое
можно добиться выбором
в качестве компонент ге-
теропары веществ с хоро-
шим согласием постоян-
ных решетки. Примером
такой гетеропары являют-
ся узкозонный GaAs и ши-
рокозонный твердый
раствор Al
x
Ga
1-x
As. В гете-
роструктурах с этими по-
лупроводниками было по-
лучено рекордное значе-
ние подвижности электро-
6
Рис. 1.2. Зонная диаграмма одиночного гетероперехода
[1].
Рис. 1.3. Зонная диаграмма двойной гетеро-
структуры при различной толщине
узкозонного слоя.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
