Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 85 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

(рис. 6.3.). При этом энергия электрона не должна быть ниже высоты
ПБ, т.е. Е
≥
V. С учетом сказанного, заменяя в формулах (6.9) и (6.11) V
на -V, a - ширину КЯ на b - толщину ПБ, для коэффициента пропуска-
ния получаем
( )
( )( )
1
2
1V/EV/E4
bqsin
1T
−
−
+=
( )( )
( )
( )( )
1
b
2
1V/EV/E4
1V/EV/Vsin
1
−
−
−π
+=
, (6.12)
где
( )
/VE*m2q
−=
- волновой вектор электрона над ПБ. Для резо-
нансных значений энергии
E
n
, при которых коэффициент прохождение
T=1, из условия bq= n
π
получаем
( )
b
2
bn
V/VnVE
+=
, (6.13)
где
222
b
b*m2/V;,....2,1n
π==
.
85
b
V
E
Z
Рис. 6.3. Прохождение электрона над потенциальным барьером
-0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
4
1
2
T
( E-V ) / V
E
max
1
E
min
2
Рис. 6.4. Зависимость коэффициента пропускания от энергии электрона,
проходящего над потенциальным барьером.

Страницы