Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 84 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

( )
a
2
an
V/VnVE
−=
, (6.10)
где
222
aa
a*m2/V,V/Vn
π=≥
. Если
a
2
1
VnV
=
, где n
1
- целое число,
тогда квантовое число n может принимать значения
n n
≥
1
, а первый ре-
зонансный уровень
E E
n
1
1
0
= =
. Такие КЯ называются резонансными
[23].
С учетом зависимости энергии Е от волнового числа q (см.(6.2))
формулу (6.9) можно переписать в удобном для анализа виде
( )( )
( )
( )( )
1
a
2
1V/EV/E4
1V/EV/Vsin
1T
−
+
+π
+=
. (6.11)
Согласно этой формуле для резонансной КЯ при
0E
→
коэффициент
пропускания
1T
→
, тогда как для нерезонансных КЯ при Е=0 коэффи-
циент пропускания Т=0. На рис. 6.2 представлена зависимость T(E), рас-
считанная для резонансных КЯ. Кривой с номером m соответствует зна-
чение глубины квантовой ямы
V m V
a
=
2
. Из рисунка следует, что зна-
чения коэффициента прохождения относительных минимумов с ростом
энергии электрона быстро стремятся к единице. Т.е. перепад
между соседним максимумом и минимумом с ростом
энергии стремится к нулю, а, следовательно, резонансные свойства ко-
эффициента прохождения исчезают.
6.1.2. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование
электронов при прохождении над потенциальным барьером
Задача о движении электрона над прямоугольным потенциальным
барьером аналогична задаче о движении электрона над прямоугольной
потенциальной ямой, в которой знак у V нужно заменить на обратный
84
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
5
2
1
T
E / V
Рис. 6.2. Зависимость коэффициента прозрачности от энергии
при прохождении электрона над резонансной КЯ.

Страницы