Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 82 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

-потенциальная энергия электрона,
V a,
- глубина и ширина КЯ. С уче-
том зависимости
V z( )
разобьем всю гетероструктуру на три области, в
каждой из которых потенциальная энергия является константой, а реше-
ние для волновой функции будем искать в виде суперпозиции падаю-
щей и отраженной волны слева от КЯ и в самой КЯ и прошедшей волны
справа от КЯ:
),0z(eAeA,E
dz
d
m2
ikz
1
ikz
1111
2
2
*
2
<+=ψψ=ψ−
−−+
),az0(eAeA,EV
dz
d
m2
iqz
2
iqz
2222
2
2
*
2
≤≤+=ψψ=ψ
−−
−−+
(6.2)
),az(eA,E
dz
d
m2
ikz
3333
2
2
*
2
>=ψψ=ψ−
+
где
/)VE(*m2q,/E*m2k
+==
,
±
n
A
- константы.
Согласно квантовой механике [17], каждый электрон при своем дви-
жении создает электрический ток с плотностью
*)
dz
d
dz
d
*(
*m2
ie
j
ψψ−ψψ=
, (6.3)
где i - мнимая единица. Согласно этой формуле, с учетом (6.2) плот-
ность тока, создаваемая электроном в каждой из областей гетерострук-
туры, равна
(6.4)
где знак (+) над j соответствует плотности тока, создаваемой электрон-
ной волной, движущейся в положительном направлении оси z, а знак (-)
- в обратном;
kq
v,v
-скорости электрона с энергией Е над КЯ и вне ее.
Согласно (6.4), при падении электронной волны на гетероструктуру
часть ее проходит, а часть отражается. Отношение плотности тока, соот-
ветствующей прошедшей волне, к плотности тока падающей на гетеро-
структуру волны называется коэффициентом пропускания или коэффи-
циентом прохождения Т. Согласно данному определению коэффициент
82

Страницы