Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 80 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

счет электрон-электронного взаимодействие в магнитном поле образу-
ют невзаимодействующие квазичастицы с дробным эффективным заря-
дом. Движение этих квазичастиц в скрещенных электрическом и маг-
нитном полях приводит к полевым зависимостям компонент тензора
проводимости, аналогичным целочисленному КЭХ при дробном значе-
нии
nk
=ν
, где n – нечетное число, k – любое целое. В отличие от це-
лочисленного это явление называется дробным КЭХ.
Как и баллистическая проводимость квантовых нитей, КЭХ исполь-
зуется для высокоточных (прецизионных) измерений фундаментальных
мировых констант e и
. Структуры с хорошо выраженными плато КЭХ
используютяс в качестве эталона сопротивления.
6. РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ
Современные методы эпитаксии позволяют создавать монокристал-
лические полупроводниковые слои и многослойные гетероструктуры с
толщиной слоев от 1 до 10 нм, что сравнимо с длиной волны де-Бройля
носителей заряда
p/h
=λ
(h - постоянная Планка, p=m
*
v, m
*
, v - квази-
импульс, эффективная масса и скорость носителей заряда). Это откры-
вает принципиальную возможность наблюдения и использования явле-
ний, обусловленных волновой природой электрона. К ним, в частности,
относятся интерференция электронных волн и вызванные ею так назы-
ваемые размерные квантовые эффекты. Среди них следует выделить та-
кие, как квантование энергии и квазиимпульса электронов в тонких
(квантовых) слоях и резонансный характер прохождения электронов че-
рез такие слои. Как правило эти эффекты наиболее четко проявляются в
слоистых гетероструктурах, составленных из материалов, различаю-
щихся расположением и шириной запрещенной зоны. В таких структу-
рах потенциальный рельеф для электронов имеет форму квантовых ям
(КЯ) и барьеров. Упорядоченное движение электронов в поперечном к
плоскости слоев направлении приводит к резонансным осцилляциям
продольного тока и появлению на вольт-амперных характеристиках
(ВАХ) участков с отрицательной дифференциальной проводимостью
(ОДП). Поскольку движение электронов в КЯ вдоль гетерограниц оста-
ется свободным и не квантуется, такие электроны представляют собой
квазиклассический двумерный или квазидвумерный газ. Специфические
свойства этого газа оказывают существенное влияние на поперечный
транспорт электронов в МДП транзисторах на КЯ и в полевых транзи-
сторах на гетероструктурах с селективным легированием (ПТ ГСЛ).
80

Страницы