Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 81 стр.

UptoLike

Составители: 

6.1. Прохождение электронов в структурах с одиночными кванто-
выми ямами и потенциальными барьерами
Характер осцилляций продольного тока, протекающего в попереч-
ном к слоям квантовой гетероструктуры направлении, определяется ве-
роятностью прохождения через них электронов с заданной скоростью
или энергией. Эта вероятность называется коэффициентом пропускания
или коэффициентом прохождения Т. Расчет коэффициента пропускания
как функции энергии электрона Е основывается на решении стационар-
ного уравнения Шредингера. Наиболее простой вид функция Т(Е) имеет
в гетероструктурах с одной КЯ или одним ПБ в отсутствие электриче-
ского поля.
6.1.1. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование
электронов при прохождении над квантовой ямой
Рассмотрим одномерную задачу о движении электрона в зоне прово-
димости над прямоугольной потенциальной ямой. Для этого найдем
волновую функцию электрона
ψ
с заданной энергией Е > 0, движуще-
гося вдоль оси симметрии гетероструктуры z (рис. 6.1). В приближении
эффективной массы
22
уравнение Шредингера для этого движения запи-
шем в виде
ψ=ψ
+
E)z(V
dz
d
m2
2
2
*
2
, (6.1)
где
><
=
az,0z;0
az0;V
)z(V
22
Для простоты расчетов будем предполагать эффективную массу электронов во
всех слоях гетероструктуры одинаковой.
81
0
-V
a
E
Z
Рис.6.1. Прохождение электрона над квантовой ямой