Физика полупроводниковых наноструктур. Борисенко С.И. - 90 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

Пользуясь формулой (6.16), для искомого коэффициента прохо-
ждения по мощности будем иметь
( )
( )
( )
( ) ( )
2/sindexpRR4dexpRR1
dexpTT
T
~
F
F
T
o
2
21
2
21
21
2
2
ϕ+ω τα−+α−−
α−
=
==
′′
=
, (6.17)
где
c/2,R
~
R,T
~
T
2
ii
2
ii
ω χ=α==
-коэффициент поглощения среды
между зеркалами резонатора,
v/dc/nd
0
==τ
- время прохождения
света через пластинку,
( )
( ) ( )
[ ]
iii21
R
~
Re/R
~
Imtg~
=ϕϕ+ϕ=ϕ
. В приближе-
нии малой прозрачности зеркал
( )
1T,T
21
< <
и слабого поглощения (
1d
< <α
) коэффициент пропускания (6.17) с учетом того, что
R T
= −
1
,
принимает более простой вид
( )
2
0
2
2
21
/2/sin41
/TT
T
θϕ+ω τ+
θ
=
, (6.18)
где
.
Согласно формулам (6.17), (6.18) коэффициент прохождения как
функция частоты носит осциллирующий характер и имеет максимумы
на резонансных частотах, удовлетворяющих уравнению
( )
02/sin
0n
=ϕ+τω
. (6.19)
Вблизи резонансной частоты с номером n функция Т принимает вид
( )
( )
( )
2
nn
2
n
2
nbn
2
21
21
/Q41
Q/Q
TT
TT4
T
ωω∆⋅+
⋅
+
=
, (6.20)
где
nn
ω−ω=ω∆
- отклонение частоты от резонансной,
1
nb
1
pn
1
n
QQQ
−−−
+=
,
фn0n
1
pn
1d
Q
τω
=
τω
α
=
−
,
0n
21
1
bn
2
TT
Q
τω
+
=
−
, (6.21)
bn,pnn
QQ,Q
- нагруженная, собственная и внешняя добротности резона-
тора на частоте
n
ω
,
v/1d/
0ф
α=ατ=τ
- среднее время жизни фотона в
90

Страницы