Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 15 стр.

                                     15
      О чевидно,    что        полное изменение напря ж ения плоских зон
VFB, равно сумме(39) и (40):

     ∆VFB ( T ) = ∆VFB
                    0
                       + ∆VFB
                           SS
                              =
                                  1
                                    [EF ( T ) − EF ( T0 )] − ∆QSS ( T )   .   (41)
                                  q                            Ci

И з(41) легко вы раж ается величина∆QSS (T):
                                                              
        ∆QSS ( T ) = −Ci ∆VFB ( T ) − [E F ( T ) − E F ( T0 )] .
                                      1
                                                                           (42)
                                     q                        
      Т аким об разом, измерив температурную зависимость напря ж ения
плоских зон М Д П -структуры , мы построим зависимость захваченного на
П С заря да от температуры . П оскольку каж дому значению температуры Т
соответствует определенное полож ение уровня Ф ерми на поверхности
полупроводника (совпадаю щ ее в данном случае с об ъ ёмны м), мы
получаем кривую           захваченного заря да ∆QSS(EF),           граф ическое
диф ф еренцирование которой даёт энергетическое распределение П С в
некотором интервалеэнергий.
      М етод температурной зависимости напря ж ения плоских зон даёт
возмож ность исследовать энергетический спектр П С б лиж е к края м
разреш енны х зон (проводимости - для полупроводникаn-типа, валентной -
для полупроводника р-типа), чем диф ф еренциальны й или интегральны й
методы . Н еудоб ство метода состоит в том, что нуж но предварительно
рассчиты вать зависимость EF (T) в полупроводнике и зависимость CFB(T)
для    идеальной М Д П -структуры . П ри измерения х необ ходимо
поддерж ивать реж им плоских зон, следя за изменением ёмкости М Д П -
струкгуры с температурой и прилагая к затвору такое дополнительное
напря ж ение∆VFB(T), чтоб ы ёмкость структуры сталаравной СFB(T).

                           П рактическая часть

              1. О п исан иеавтоматизирован н ой устан овки

       И змерительно-вы числительны й комплекс (И В К ) предназначен для
исследования электроф изических параметров М Д П -структур методом
равновесны х В Ч В Ф Х. И В К позволя ет производить измерение вольт-
ф арадны х характеристик, их об раб отку с хранением получаемой
инф ормации, вы вод результатов напечать или на дисплей Э В М .
       В процессеоб раб отки могут б ы ть получены следую щ ие параметры
исследуемой М Д П -структуры :
   а) толщ инаподзатворного диэлектрика;
   б ) тип проводимости полупроводниковой подлож ки;
   в) концентрация легирую щ ей примеси;
   г) об ьемны й потенциал;
   д) контактная разность потенциалов;