Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

21
обработки C-V” и нажмите <Enter>. В открывшемся диалоге введите
имя файла (не более 8 символов ), в котором будет содержаться
таблица с
результатами обработки измеренной C-V кривой и нажмите <Enter>. После
того как будут произведены все необходимые расчеты , на экране вновь
появятся панели NC. Теперь результаты расчетов можно просмотреть . Для
этого выберите файл с введенным вами именем и расширением .res
(например, 3-62.res) и нажмите <F3>. Если строки в появившейся на экране
таблице расположены неправильно , нажмите <F2>. При просмотре
результатов пользуйтесь клавишами <←>,<↑>,<→>,<↓>, <PgUp>,
<PgDown>. В конце файла вы найдете средние значения рассчитанных
величин и их разброс. Расчет и усреднение производится по всем файлам ,
содержащимся в текущем каталоге (т.е. в том каталоге, в который вы
перешли в начале данного пункта). Просмотр полученных графиков
производится аналогично . Для выхода из режима просмотра следует
нажать клавишу <Esc>.
Примечание: В таблице, содержащей результаты расчетов , приняты
следующие обозначения физических параметров МДП-структуры :
C_ox - максимальная емкость C - V кривой (геометрическая емкость
диэлектрического слоя ), Ф /м
2
;
D_ox - толщина диэлектрического слоя , Á ;
Eps_ox - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
tgD_ox - тангенс угла диэлектрических потерь в диэлектрике при V=0;
S_m - площадь металлического электрода (затвора), мм
2
;
Fi0_s - начальный изгиб зон в полупроводнике (при V=0), В ;
N - концентрация легирующей примеси в полупроводнике, см
-3
;
L - эффективная длина экранирования , см ;
Vfb - напряжение плоских зон, В ;
Vi - напряжение инверсии, В ;
Vt - пороговое напряжение, В ;
Nssfb - величина эффективного поверхностного заряда (в единицах
элементарного заряда) в состоянии плоских зон, см
-2
;
Nssi - эффективный поверхностный заряд в состоянии инверсии, см
-2
;
Nsst - эффективный заряд в состоянии сильной инверсии, см
-2
;
Dss – энергетическая (дифференциальная ) плотность поверхностных
состояний вблизи плоских зон, эВ
-1
см
-2
;
dNssfb - изменение эффективного поверхностного заряда в состоянии
плоских зон при термополевых испытаниях, см
-2
.
27. Перейдите в каталог, где хранятся ваши файлы , и нажмите <F2>.
В меню NC выберите пункт “Обработка C-V” и нажмите <Enter>, либо
сразу после открытия меню нажмите <2>. На вопрос “Вводить новые
значения ? (Y/...)” ответьте <Y> и нажмите <Enter>, если вы хотите
изменить входные данные, или нажмите любую другую клавишу и <Enter>
в противном случае. Возможность изменения значений нужна только в 
                                    21
об раб отки C-V” и наж мите . В откры вш емся диалоге введите
имя ф айла (не б олее 8 символов), в котором б удет содерж аться
таб лица с

результатами об раб отки измеренной C-V кривой и наж мите. П осле
того как б удут произведены все необ ходимы е расчеты , на экране вновь
поя вя тся панели NC. Т еперь результаты расчетов мож но просмотреть. Д ля
этого вы б ерите ф айл с введенны м вами именем и расш ирением .res
(например, 3-62.res) и наж мите. Е сли строки в поя вивш ейся наэкране
таб лице располож ены неправильно, наж мите . П ри просмотре
результатов пользуйтесь клавиш ами <←>,<↑>,<→>,<↓>, ,
. В конце ф айла вы найдете средние значения рассчитанны х
величин и их разб рос. Расчет и усреднение производится по всем ф айлам,
содерж ащ имся в текущ ем каталоге (т.е. в том каталоге, в которы й вы
переш ли в начале данного пункта). П росмотр полученны х граф иков
производится аналогично. Д ля вы хода из реж има просмотра следует
наж ать клавиш у .
     П римечание: В таб лице, содерж ащ ей результаты расчетов, приня ты
следую щ иеоб означения ф изических параметров М Д П -структуры :
     C_ox - максимальная емкость C - V кривой (геометрическая емкость
диэлектрического слоя ), Ф /м 2 ;
     D_ox - толщ инадиэлектрического слоя , Á ;
     Eps_ox - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
     tgD_ox - тангенс угладиэлектрических потерь в диэлектрикепри V=0;
     S_m - площ адь металлического электрода(затвора), мм 2;
     Fi0_s - начальны й изгиб зон в полупроводнике(при V=0), В ;
     N - концентрация легирую щ ей примеси в полупроводнике, см -3;
     L - эф ф ективная длинаэкранирования , см;
     Vfb - напря ж ениеплоских зон, В ;
     Vi - напря ж ениеинверсии, В ;
     Vt - пороговоенапря ж ение, В ;
     Nssfb - величина эф ф ективного поверхностного заря да (в единицах
     элементарного заря да) в состоя нии плоских зон, см -2;
     Nssi - эф ф ективны й поверхностны й заря д в состоя нии инверсии, см -2;
     Nsst - эф ф ективны й заря д в состоя нии сильной инверсии,см -2;
     Dss – энергетическая (диф ф еренциальная ) плотность поверхностны х
     состоя ний вб лизи плоских зон, эВ -1см -2;
     dNssfb - изменение эф ф ективного поверхностного заря да в состоя нии
плоских зон при термополевы х испы тания х, см -2.
     27. П ерейдитев каталог, гдехраня тся ваш и ф айлы , и наж мите.
В меню NC вы б ерите пункт “ О б раб отка C-V” и наж мите , либ о
сразу после откры тия меню наж мите <2>. Н а вопрос “ В водить новы е
значения ? (Y/...)” ответьте  и наж мите , если вы хотите
изменить входны еданны е, или наж мителю б ую другую клавиш у и 
в противном случае. В озмож ность изменения значений нуж на только в

Страницы