Электрофизические методы исследования МДП-структур. Часть 2. Бормонтов Е.Н. - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

23
33. Последовательно выключите ЭВМ (системный блок,
дисплей и цифровой измеритель E7-12).
3. Практические задания
1. Ознакомиться с физическими основами теории МДП-структур и
методами нахождения их электрофизических характеристик.
2. Ознакомиться с основными принципами автоматизированного
измерения и обработки ВФХ.
3. Сдать теоретический минимум по п.1 и п.2 (см . контрольные
вопросы ).
4. На структуре, данной преподавателем , измерить ВЧ ВФХ. Для
этого и далее руководствоваться разделом “порядок работы”.
5. Определить основные электрофизические параметры исследуемой
структуры :
-тип проводимости полупроводниковой подложки (n или р);
-толщину диэлектрического слоя d
i
;
-концентрацию легирующей примеси N
D
или N
A
;
-обьемный потенциал φ
B
;
-напряжение плоских зон V
FB
;
-напряжение инверсии V
i
;
-пороговое напряжение V
T
;
-плотность эффективного поверхностного заряда Q
SSЭ
, рассчитанную
в режиме плоских зон;
-контактную разность потенциалов φ
MS
.
6. Дать физическую интерпретацию полученным результатам .
7. Рассчитать теоретическую ВФХ данной структуры . Построить
зависимость энергетической плотности поверхностных состояний D
SS
от
величины поверхностного потенциала ψ
s
(энергетический спектр ПС).
8. Построить график зависимости энергетической плотности
поверхностных состояний от энергии, отсчитываемой от уровня Ферми в
собственном полупроводнике.
УКАЗАНИЕ: Величина энергетического положения
поверхностных состояний в запрещенной зоне полупроводника
определяется по формуле:
E
SS
= E
F
+ qψ
S
.
9. Построить физическую модель исследуемой структуры , исходя
из обработанного массива данных, связей и зависимостей , выявленных в
результате выполнения работы . 
                                  23
    33.           П оследовательно вы клю чите Э В М   (системны й б лок,
дисплей и циф ровой измеритель E7-12).

                        3. П рактическиезадан ия

       1. О знакомиться с ф изическими основами теории М Д П -структур и
методами нахож дения их электроф изических характеристик.
       2. О знакомиться с основны ми принципами автоматизированного
измерения и об раб отки В Ф Х.
       3. Сдать теоретический минимум по п.1 и п.2 (см. контрольны е
вопросы ).
       4. Н а структуре, данной преподавателем, измерить В Ч В Ф Х. Д ля
этого и далееруководствоваться разделом “ поря докраб оты ”.
       5. О пределить основны е электроф изические параметры исследуемой
структуры :
    -тип проводимости полупроводниковой подлож ки (n или р);
    -толщ ину диэлектрического слоя di ;
    -концентрацию легирую щ ей примеси ND или NA ;
    -об ьемны й потенциал φB;
    -напря ж ениеплоских зон VFB ;
    -напря ж ениеинверсии Vi ;
    -пороговоенапря ж ениеVT ;
   -плотность эф ф ективного поверхностного заря да QSSЭ , рассчитанную
в реж имеплоских зон;
    -контактную разность потенциалов φMS .
       6. Д ать ф изическую интерпретацию полученны м результатам.
       7. Рассчитать теоретическую В Ф Х данной структуры . П остроить
зависимость энергетической плотности поверхностны х состоя ний DSS от
величины поверхностного потенциалаψs (энергетический спектрП С).
       8. П остроить граф ик зависимости энергетической плотности
поверхностны х состоя ний от энергии, отсчиты ваемой от уровня Ф ерми в
соб ственном полупроводнике.
         У К А ЗА Н И Е :   В еличина      энергетического     полож ения
поверхностны х состоя ний        в   запрещ енной    зоне полупроводника
определя ется по ф ормуле:
                               ESS = EF + qψS .
       9. П остроить ф изическую модель исследуемой структуры , исходя
изоб раб отанного массива данны х, свя зей и зависимостей, вы я вленны х в
результатевы полнения раб оты .

Страницы